7007S55JG8 [IDT]

Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68;
7007S55JG8
元器件型号: 7007S55JG8
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

静态存储器 内存集成电路
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型号参数:7007S55JG8参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
包装说明QCCJ, PGA68,11X11
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.29
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e3
内存密度262144 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1