7015S20GG [IDT]

Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.18 X 1.18 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68;
7015S20GG
元器件型号: 7015S20GG
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.18 X 1.18 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68

静态存储器 内存集成电路
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型号参数:7015S20GG参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码PGA
包装说明1.18 X 1.18 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.77
最长访问时间20 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P68
JESD-609代码e3
长度29.464 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.464 mm
Base Number Matches1