7015S35PFGB [IDT]

Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80;
7015S35PFGB
元器件型号: 7015S35PFGB
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80

静态存储器 内存集成电路
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型号参数:7015S35PFGB参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP80,.64SQ
针数80
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.77
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量80
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP80,.64SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1