元器件型号: | 70V06L35GGI |
生产厂家: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY |
描述和应用: | Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 静态存储器 内存集成电路 |
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型号参数:70V06L35GGI参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
零件包装代码 | PGA |
包装说明 | CERAMIC, PGA-68 |
针数 | 68 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 5.4 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 35 ns |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P68 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 29.464 mm |
内存密度 | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 68 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.207 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 29.464 mm |
Base Number Matches | 1 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68
静态存储器 内存集成电路