70V7519S133BF [IDT]

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE; HIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM
70V7519S133BF
元器件型号: 70V7519S133BF
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
HIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM

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型号参数:70V7519S133BF参数
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
零件包装代码CABGA
包装说明TFBGA, BGA208,17X17,32
针数208
制造商包装代码BF208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.15
最长访问时间15 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.15 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.645 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
Base Number Matches1