70V7599S133DRG [IDT]

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70V7599S133DRG
元器件型号: 70V7599S133DRG
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

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存储 内存集成电路 静态存储器 PC 时钟
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型号参数:70V7599S133DRG参数
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码PQFP
包装说明28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
针数208
制造商包装代码DR208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.35
Is SamacsysN
最长访问时间15 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G208
JESD-609代码e0
长度28 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FQFP
封装等效代码QFP208,1.2SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.1 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.15 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.675 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度28 mm
Base Number Matches1