IDT7015S17J [IDT]

HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM; HIGH -SPEED 8K ×9双口静态RAM
IDT7015S17J
元器件型号: IDT7015S17J
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
HIGH -SPEED 8K ×9双口静态RAM

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型号参数:IDT7015S17J参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.84
最长访问时间17 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e3
长度24.2062 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.2062 mm