IDT7016S20GB [IDT]

HIGH-SPEED 16K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM; 高速16K ×9双端口静态RAM
IDT7016S20GB
元器件型号: IDT7016S20GB
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 16K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
高速16K ×9双端口静态RAM

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型号参数:IDT7016S20GB参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码PGA
包装说明CERAMIC, PGA-68
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.84
最长访问时间20 ns
其他特性SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P68
JESD-609代码e0
长度29.464 mm
内存密度147456 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.38 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.464 mm
Base Number Matches1