IDT70V27S15PF [IDT]

HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM; 高速3.3V 32K ×16的双端口静态RAM
IDT70V27S15PF
元器件型号: IDT70V27S15PF
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
高速3.3V 32K ×16的双端口静态RAM

存储 内存集成电路 静态存储器
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型号参数:IDT70V27S15PF参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码QFP
包装说明14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.B
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.68
Is SamacsysN
最长访问时间15 ns
其他特性CONFIGURED AS 32K X 16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.006 A
最小待机电流3 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1