IDT71016S20PHI [IDT]

CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit); CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位)
IDT71016S20PHI
元器件型号: IDT71016S20PHI
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位)

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型号参数:IDT71016S20PHI参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 INCH, TSOP2-44
针数44
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.B
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.3
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm
Base Number Matches1