IDT7130LA25J [IDT]

HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM; HIGH -SPEED 1K ×8双端口静态RAM
IDT7130LA25J
元器件型号: IDT7130LA25J
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
HIGH -SPEED 1K ×8双端口静态RAM

存储 内存集成电路 静态存储器 PC
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型号参数:IDT7130LA25J参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码LCC
包装说明PLASTIC, LCC-52
针数52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.56
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Schematic Symbol
PCB Footprint
Samacsys PartID1613062
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count52
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryPlastic Leaded Chip Carrier
Samacsys Footprint NamePLG52-+-__
Samacsys Released Date2020-02-13 11:52:40
Is SamacsysN
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1