IDT71321LA45J [IDT]

HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS; HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM
IDT71321LA45J
元器件型号: IDT71321LA45J
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM

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型号参数:IDT71321LA45J参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码LCC
包装说明PLASTIC, LCC-52
针数52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.69
最长访问时间45 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; ARBITER
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1