IDT7134SA55P [IDT]

HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM; HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
IDT7134SA55P
元器件型号: IDT7134SA55P
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM

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型号参数:IDT7134SA55P参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.59
最长访问时间55 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T48
JESD-609代码e0
长度61.849 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度15.24 mm
Base Number Matches1