IDT7164L70DB [IDT]

CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT); CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位)
IDT7164L70DB
元器件型号: IDT7164L70DB
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位)

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型号参数:IDT7164L70DB参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.04
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
长度37.211 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0002 A
最小待机电流2 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度15.24 mm
Base Number Matches1