IDT71T75802S100BGI [IDT]

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs; 512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线
IDT71T75802S100BGI
元器件型号: IDT71T75802S100BGI
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线

计数器 存储 内存集成电路 静态存储器 时钟
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型号参数:IDT71T75802S100BGI参数
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Active
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.17
Is SamacsysN
最长访问时间5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流2.38 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.195 mA
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1