IDT71V124SA12TY [IDT]

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout; 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚
IDT71V124SA12TY
元器件型号: IDT71V124SA12TY
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚

存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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型号参数:IDT71V124SA12TY参数
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.B
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.26
Is SamacsysN
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
长度20.955 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.7592 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
Base Number Matches1