IDT71V256SA15PZI [IDT]

LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT); 低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位)
IDT71V256SA15PZI
元器件型号: IDT71V256SA15PZI
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位)

存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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型号参数:IDT71V256SA15PZI参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码TSOP
包装说明0.300 INCH, TSOP1-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.7
Is SamacsysN
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流3 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度8 mm
Base Number Matches1