IDT71V65802S100PFI [IDT]

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs; 256K ×36 , 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线
IDT71V65802S100PFI
元器件型号: IDT71V65802S100PFI
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
256K ×36 , 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线

计数器 静态存储器
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型号参数:IDT71V65802S100PFI参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码QFP
包装说明14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.73
最长访问时间5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.06 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1