IDT7202LA15TP [IDT]

CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9; CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9
IDT7202LA15TP
元器件型号: IDT7202LA15TP
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9

先进先出芯片
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型号参数:IDT7202LA15TP参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5
最长访问时间15 ns
其他特性RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)40 MHz
周期时间25 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度34.671 mm
内存密度9216 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.0005 A
子类别FIFOs
最大压摆率0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
Base Number Matches1