元器件型号: | IDT7205L20J |
生产厂家: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY |
描述和应用: | CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 |
PDF文件: | 总14页 (文件大小:151K) |
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型号参数:IDT7205L20J参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 5.33 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 20 ns |
周期时间 | 30 ns |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 34.671 mm |
内存密度 | 73728 bit |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX9 |
可输出 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度 | 4.572 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
CMOS异步FIFO 2048× 9 , 4096 ×9 , 8192 ×9和16384 ×9