IDT7205L20J [IDT]

CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9; CMOS异步FIFO 2048× 9 , 4096 ×9 , 8192 ×9和16384 ×9
IDT7205L20J
元器件型号: IDT7205L20J
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
CMOS异步FIFO 2048× 9 , 4096 ×9 , 8192 ×9和16384 ×9

先进先出芯片
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型号参数:IDT7205L20J参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Active
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5.33
Is SamacsysN
最长访问时间20 ns
周期时间30 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e3
长度34.671 mm
内存密度73728 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX9
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度4.572 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1