IDT72211L20J [IDT]

CMOS SyncFIFO 64 X 9, 256 x 9, 512 x 9, 1024 X 9, 2048 X 9 and 4096 x 9; CMOS SyncFIFO 64 ×9 , 256 ×9 , 512× 9 , 1024 X 9 , 2048 ×9和4096 ×9
IDT72211L20J
元器件型号: IDT72211L20J
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

CMOS SyncFIFO 64 X 9, 256 x 9, 512 x 9, 1024 X 9, 2048 X 9 and 4096 x 9
CMOS SyncFIFO 64 ×9 , 256 ×9 , 512× 9 , 1024 X 9 , 2048 ×9和4096 ×9

存储 内存集成电路 先进先出芯片 时钟
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型号参数:IDT72211L20J参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5.67
Is SamacsysN
最长访问时间12 ns
最大时钟频率 (fCLK)50 MHz
周期时间20 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度4608 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.08 A
子类别FIFOs
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11.43 mm
Base Number Matches1