元器件型号: | IDT72211L20J |
生产厂家: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY |
描述和应用: | CMOS SyncFIFO 64 X 9, 256 x 9, 512 x 9, 1024 X 9, 2048 X 9 and 4096 x 9 |
PDF文件: | 总19页 (文件大小:200K) |
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型号参数:IDT72211L20J参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 5.67 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 12 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 50 MHz |
周期时间 | 20 ns |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 4608 bit |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 9 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512X9 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.55 mm |
最大待机电流 | 0.08 A |
子类别 | FIFOs |
最大压摆率 | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 11.43 mm |
Base Number Matches | 1 |
CMOS SyncFIFO 64 X 9, 256 x 9, 512 x 9, 1024 X 9, 2048 X 9 and 4096 x 9
CMOS SyncFIFO 64 ×9 , 256 ×9 , 512× 9 , 1024 X 9 , 2048 ×9和4096 ×9