IDT72615L25J [IDT]

CMOS SyncBiFIFOO 256 x 18 x 2 and 512 x 18 x 2; CMOS SyncBiFIFOO 256 ×18× 2和512 ×18× 2
IDT72615L25J
元器件型号: IDT72615L25J
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

CMOS SyncBiFIFOO 256 x 18 x 2 and 512 x 18 x 2
CMOS SyncBiFIFOO 256 ×18× 2和512 ×18× 2

先进先出芯片
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型号参数:IDT72615L25J参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP64,.66SQ,32
针数64
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5.89
最长访问时间15 ns
最大时钟频率 (fCLK)40 MHz
周期时间25 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G64
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度18432 bit
内存集成电路类型BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量64
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP64,.66SQ,32
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
子类别FIFOs
最大压摆率0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1