IDT72V215L10PF [IDT]

3.3 VOLT CMOS SyncFIFO 256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18, and 4,096 x 18; 3.3伏的CMOS SyncFIFO 256 ×18 , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,以及4096 ×18
IDT72V215L10PF
元器件型号: IDT72V215L10PF
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

3.3 VOLT CMOS SyncFIFO 256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18, and 4,096 x 18
3.3伏的CMOS SyncFIFO 256 ×18 , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,以及4096 ×18

存储 内存集成电路 先进先出芯片 时钟
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型号参数:IDT72V215L10PF参数
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, TQFP-64
针数64
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5.64
Is SamacsysN
最长访问时间6.5 ns
其他特性EASILY EXPANDABLE IN DEPTH AND WIDTH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
周期时间10 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G64
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度9216 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量64
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP64,.66SQ,32
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.005 A
子类别FIFOs
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1