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快速
16K ×9双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7016S/L
产品特点:
•真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
•高速访问
- 军事: 20/25 /为35ns (最大值)
- 商业:12 /15/20 /25 /为35ns (最大值)
•低功耗运行
- IDT7016S
主动: 750MW (典型值)。
待机: 5毫瓦(典型值)。
- IDT7016L
主动: 750MW (典型值)。
待机:为1mW (典型值)。
• IDT7016轻松扩展数据总线宽度为18位或
更多使用主/从选择级联时
一个以上的设备
• M/
S
= H的
法师输出标志
M/
S
= L为
输入从机上
•忙碌和中断标志
•片上端口仲裁逻辑
•完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
•从任何一个端口完全异步操作
•设备能够承受大于
2001V的静电放电
• TTL兼容,单5V ( ± 10 % )电源
•可在陶瓷68针PGA , 68引脚PLCC和
80引脚TQFP
•工业级温度范围( -40 ° C至+ 85°C )是
可用,测试军事电气规范
描述:
的IDT7016是一种高速16K ×9双端口静态
的RAM 。的IDT7016被设计为用作待机动
独双端口RAM或组合MASTER /
从动双端口RAM用于18位或更多的更广泛的系统。
功能框图
OE
L
OE
R
CE
L
R/
W
L
CE
R
R/
W
R
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
8R
L(1,2)
A
13L
A
0L
地址
解码器
14
R(1,2)
内存
ARRAY
地址
解码器
A
13R
A
0R
14
OE
L
R/
CE
L
W
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
R/
OE
R
W
R
SEM
R
(2)
SEM
L
(2)
INT
L
M/
S
INT
R
3190 DRW 01
注意事项:
1.在主模式下:
为输出,是推挽式驱动器
在从模式下:
输入。
2.
输出和
INT
输出的非三态的推挽驱动。
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
©1996集成设备技术有限公司
有关最新信息,请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-3190/2
6.13
1
IDT7016S/L
高速16K ×9双端口静态RAM
军用和商用温度范围
在使用IDT主/从双口RAM的方法
18位或更广泛的存储系统应用成果在全
速度,而不需要额外的无错操作
离散逻辑。
该器件提供了独立的两个独立端口
控制,地址和I / O引脚,允许独立的,
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。受控制的自动断电功能
CE
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术,这些设备通常在功率仅为750MW操作。
的IDT7016封装在陶瓷68针的PGA ,一个64-
引脚PLCC和80引脚TQFP (薄型四方扁平封装) 。军事
同类产品的制造符合最新的
MIL -STD - 883 , B级,改版使得它非常适合于
军用温度要求苛刻的应用程序的最高水平
的性能和可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2)
I / O
1L
I / O
0L
I / O
8L
SEM
L
4
W
L
R/
5
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
9
8
7
6
3
N / C
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
OE
L
CE
L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
IDT7016
J68-1
PLCC
TOP VIEW ( 3 )
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
L
R
GND
M/
S
INT
R
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
3190 DRW 02
I / O
7R
I / O
8R
注意事项:
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不意味着部分唛方向。
SEM
R
R/
N / C
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
R
CE
R
W
R
引脚名称
左侧端口
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
3190 TBL 01
CE
L
R/
W
L
OE
L
A
0L
– A
13L
I / O
0L
- I / O
8L
CE
R
R/
W
R
OE
R
A
0R
– A
13R
I / O
0R
- I / O
8R
SEM
L
INT
L
L
M/
S
V
CC
SEM
R
INT
R
R
GND
6.13
2
IDT7016S/L
高速16K ×9双端口静态RAM
军用和商用温度范围
引脚配置(续)
(1,2)
I / O
0L
I / O
8L
I / O
1L
R/
L
SEM
L
A
11L
A
10L
A
13L
V
CC
A
12L
OE
L
W
CE
L
A
8L
A
7L
A
6L
A
9L
指数
NC
NC
71
70
69
66
65
64
63
68
67
80
79
78
77
76
74
73
72
75
62
61
NC
NC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
NC
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
NC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
NC
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
IDT7016
PN-80
TQFP
TOP VIEW ( 3 )
L
GND
M/
S
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
NC
NC
30
32
33
21
22
36
37
24
25
27
28
29
31
35
23
26
34
38
39
40
I / O
7R
I / O
8R
R/
R
NC
A
13R
NC
A
11R
SEM
R
A
10R
A
9R
A
8R
A
12R
A
7R
OE
R
CE
R
GND
A
6R
A
5R
NC
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
NC
3190 DRW 03
W
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
A
0L
L
M/
S
45
INT
L
40
INT
R
38
A
1R
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
10
43
41
39
37
GND
R
A
0R
A
2R
09
08
57
56
A
11L
A
10L
59
58
V
CC
A
12L
61
60
N / C A
13L
63
07
06
IDT7016
G68-1
68引脚PGA
TOP VIEW ( 3 )
28
29
A
11R
A
10R
26
27
GND之间的
12R
24
N / C
25
A
13R
23
05
SEM
L
CE
L
OE
L
R/
W
L
64
62
65
04
SEM
R
20
22
CE
R
03
67
66
I / O
0L
I / O
8L
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
4
I / O
3L
I / O
5L
A
B
C
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
8
I / O
6L
V
CC
D
E
10
12
14
16
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
F
G
H
J
OE
R
21
R/
R
W
02
18
19
I / O
7R
I / O
8R
17
I / O
6R
K
L
3190 DRW 04
01
注意事项:
指数
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.13
3
IDT7016S/L
高速16K ×9双端口静态RAM
军用和商用温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
L
L
X
R/
W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I / O
0-8
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消:掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
模式
注意:
1.状况:A
0L
— A
13L
不等于A
0R
— A
13R.
3190 TBL 02
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
H
L
R/
W
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I / O
0-8
数据
OUT
数据
IN
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
模式
阅读信号灯标志数据输出( I / O
0
- I / O
8
)
u
X
H
注意:
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O ( I / O读
0
-I / O
8
) 。这八个信号灯由A处理
0
-A
2.
3190 TBL 03
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
广告
军事
-0.5到+7.0
单位
V
端电压-0.5到+7.0
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
3190 TBL 05
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
广告
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
(2)
0.8
V
V
V
V
3190 TBL 06
注意事项:
3190 TBL 04
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25%以上
或为10ns最大,并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
& GT ; VCC
+ 0.5V.
注意事项:
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0MHz的,仅TQFP )
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
MAX 。 UNIT
9
10
pF
pF
3190 TBL 07
注意事项:
1.
这个参数由器件特性决定的,但并不生产
化测试。
2.
3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.13
4
IDT7016S/L
高速16K ×9双端口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7016S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
2.4
马克斯。
10
10
0.4
2.4
7016L
分钟。
马克斯。
5
5
0.4
单位
µA
µA
V
V
3190 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意:
1.在Vcc < 2.0V ,输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
(两个端口均有效)
待机电流
(这两个端口 - TTL
电平输入)
待机电流
(单端口 - TTL
电平输入)
全待机电流
(这两个端口 - 所有
CMOS电平输入)
TEST
条件
VERSION
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
7016X12
7016X15
Com'l 。只
Com'l 。只
(2)
典型值。
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。
170
170
25
25
105
105
1.0
0.2
100
100
325
275
70
60
200
170
15
5
180
150
170
170
25
25
105
105
1.0
0.2
100
100
310
260
60
50
190
160
15
5
170
140
3190 TBL 09
单位
CE
= VIL ,输出打开
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
mA
I
SB1
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
mA
I
SB2
I
SB3
这两个端口
CE
L
米尔。
CE
R
& GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或
Com'l 。
(4)
V
IN
& LT ; 0.2V , F = 0
SEM
R
=
SEM
L
& GT ; V
CC
- 0.2V
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
CE
& QUOT ; A& QUOT ;
=V
IL
CE
& QUOT ; B& QUOT ;
= V
IH(5)
mA
mA
I
SB4
全待机电流
(一个端口 - 所有
CMOS电平输入)
CE
& QUOT ; A& QUOT ;
& LT ; 0.2V和
CE
& QUOT ; B& QUOT ;
& GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
& GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
<0.2V
有源输出端口打开,
f = f
MAX(3)
米尔。
mA
Com'l 。
注意事项:
1. "X"部分数字表示额定功率(S或L ) 。
2. V
CC
= 5V ,T
A
= + 25°C ,而不是生产测试。我
CCDC
= 120毫安(典型值)。
3.在f = F
最大
,
地址和I / O的循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC 。
4, F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"是港口"A"相反。
6.13
5
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