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IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO ™
256 ×18 - BIT , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,4096 ×18
商用和工业温度范围
CMOS SyncFIFO ™
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18,
2048 ×18 ,4096 ×18
集成设备技术有限公司
IDT72205LB
IDT72215LB
IDT72225LB
IDT72235LB
IDT72245LB
产品特点:
256× 18位的组织阵列( IDT72205LB )
512× 18位的组织阵列( IDT72215LB )
1,024× 18位的组织阵列( IDT72225LB )
2048 ×18位的组织阵列( IDT72235LB )
4096 ×18位的组织阵列( IDT72245LB )
10纳秒的读/写周期时间
空和满标志信号FIFO状态
在深度和宽度易于扩展
异步或重合读写时钟
可编程几乎空和几乎全部用标志
默认设置
半满标志功能
双端口零落空时体系结构
输出使能输出数据总线的高阻抗
状态
高性能的亚微米CMOS技术
提供64引脚薄型四方扁平封装( TQFP / STQFP )
与塑料有引线芯片载体( PLCC )
工业级温度范围(-40
°
C至+ 85
°
C)可
描述:
该IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB
非常高速,低功耗的先入先出( FIFO)的
回忆时钟读写控制。这些FIFO
适用于各种各样的数据缓冲的需要,例如
如光磁盘控制器,局域网( LAN)的,并
处理器间通信。
这些FIFO具有18位输入和输出端口。输入
端口由一个自由运行的时钟( WCLK ) ,以及输入控制
使能引脚(
) 。数据被读入的同步FIFO
每个时钟时
为有效。输出端口被控制
由另一个时钟引脚( RCLK ),另一个使能引脚(
) 。该
读时钟可连接到写时钟为单个时钟
操作或两个时钟可以运行一个异步
另一种为双时钟运行。输出使能引脚(
OE
)是
设置在读出端口的输出的三态控制。
在同步FIFO有两个固定的标志,空(
EF
)和
全部(
FF
) ,以及两个可编程标志,即殆-空(
PAE
)
和几乎全部(
PAF
) 。可编程的偏置负载
标志是通过一个简单的状态机控制,并且通过启动
断言负载引脚(
LD
) 。半满标志(
HF
)是可用的
当FIFO被用于在单个设备的配置。
这些器件的深度扩展使用菊花链
技术。 Xi和
XO
引脚用来扩大的FIFO中。
在深度扩展配置,
FL
被接地的第一
设备并设置为HIGH在菊花链中的所有其他设备。
该IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB是
采用IDT的高速亚微米CMOS制造技
术。
功能框图
WCLK
D0-D17
输入寄存器
偏移寄存器
写控制
逻辑
写指针
RAM阵列
256 x 18, 512 x 18
1,024 x 18, 2,048 x 18
4,096 x 18
逻辑
/(
读指针
读控制
逻辑
)
(
)/
扩展逻辑
输出寄存器
复位逻辑
Q0-Q17
SyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术, Inc。的注册商标。
RCLK
2766 DRW 01
商用和工业温度范围
©2000集成设备技术有限公司
有关最新信息,请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
2000年5月
DSC-2766/-
1
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO ™
256 ×18 , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,4096 ×18
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
D
15
D
16
D
17
GND
RCLK
V
CC
GND
V
CC
Q
17
Q
16
GND
Q
15
D
14
D
13
D
12
D
11
D
10
D
9
V
CC
D
8
GND
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
9 8 7 6 5 4 3 2 68 67 66 65 64 63 62 61
10
60
1
11
59
12
58
13
57
14
56
15
55
16
54
17
53
18
52
19
51
20
50
49
21
48
22
47
23
46
24
45
25
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
WCLK
Q
0
Q
1
GND
Q
2
Q
3
V
CC
V
CC
/
V
CC
Q
14
Q
13
GND
Q
12
Q
11
V
CC
Q
10
Q
9
GND
Q
8
Q
7
V
CC
Q
6
Q
5
GND
Q
4
2766 DRW 02
PLCC ( J68-1 ,订货代码: J),
顶视图
D
16
D
17
GND
RCLK
V
CC
GND
销1
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
WCLK
Q
0
Q
1
GND
Q
2
Q
3
V
CC
/
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
D
15
D
14
D
13
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
Q
17
Q
16
GND
Q
15
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q
14
Q
13
GND
Q
12
Q
11
V
CC
Q
10
Q
9
GND
Q
8
Q
7
Q
6
Q
5
GND
Q
4
V
CC
2766 DRW 03
TQFP ( PN64-1 ,订货代码: PF )
STQFP ( PP64-1 ,订货代码: TF )
顶视图
2
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO ™
256 ×18 - BIT , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,4096 ×18
商用和工业温度范围
引脚说明
符号
D0–D17
名字
数据输入
RESET
I / O
I
I
数据输入一个18位的总线。
RS
置为低电平,内部读和写指针被设置为所述第一位置
RAM阵列,
FF
PAF
变为高电平,并且
PAE
EF
变低。之前需要进行重置
上电后最初的写操作。
为低电平时,数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变,
如果FIFO没有满。
低并且
LD
是高电平时,数据被写入到FIFO的每个低到高
WCLK的过渡。当
为高电平时,FIFO保持之前的数据。数据将不
写入到FIFO中,如果
FF
是低的。
是LOW时,数据被从FIFO读出的RCLK的一个低到高的跳变中,如果
FIFO不为空。
描述
RS
WCLK
写时钟
写使能
I
I
RCLK
读时钟
读使能
I
I
OE
LD
低并且
LD
是高电平时,数据被从FIFO中读出的每个低到高
RCLK过渡。当
为高电平时,输出寄存器保存的先前的数据。数据
不能从FIFO中读出,如果
EF
是低的。
OE
为低电平时,数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时,输出数据总线将
处于高阻抗状态。
OUTPUT ENABLE
负载
I
I
FL
WXI
RXI
FF
EF
PAE
PAF
WXO
/
HF
RXO
Q0–Q17
V
CC
GND
LD
是在D0 -D11被写入偏移和深度的寄存器的输入端时,数据
在WCLK ,当在低到高的转变
是低的。当
LD
低,
上Q0- Q11的从偏移和深度寄存器读取在低到中的数据输出
当RCLK高过渡,
是低的。
先装
I
在单个设备或宽度扩展配置,
FL
被接地。在深度扩张
CON连接的配置中,
FL
被接地的第一装置(第一负载装置)上,并设置为HIGH对于所有其它
设备的菊花链。
在单个设备或宽度扩展配置,
WXI
被接地。在深度
扩展配置,
WXI
被连接到
WXO
(写扩展出)以前的设备。
写扩张
扩展阅读
满标志
空标志
可编程
几乎空标志
可编程
几乎满标志
写扩张
出/半满标志
扩展阅读
OUT
数据输出
动力
I
I
O
O
O
在单个设备或宽度扩展配置,
RXI
被接地。在深度扩张
CON连接的配置中,
RXI
被连接到
RXO
(阅读扩展出)以前的设备。
FF
为低电平时,FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当
FF
为高电平时, FIFO未满。
FF
同步到WCLK 。
EF
为低时,所述的FIFO是空的,进一步的数据读出从输出被抑制。
EF
为高电平时, FIFO不为空。
EF
同步到RCLK 。
PAE
为低时,所述的FIFO是空的,几乎基于所述偏移编程到
FIFO。默认的复位偏移量是31空IDT72205LB , 63空
IDT72215LB和127从空IDT72225LB / 72235LB / 72245LB 。
O
PAF
为低电平时,FIFO几乎充满基于所述偏移编程到FIFO中。
默认的复位偏移量是31全的IDT72205LB , 63全为IDT72215LB ,和
127从全额IDT72225LB / 72235LB / 72245LB 。
在单个设备或宽度扩展配置中,设备是超过半满
HF
为LOW 。在深度扩展配置中,一个脉冲被发送
WXO
to
WXI
的下一个设备的时候,在FIFO中的最后位置被写入。
O
O
O
在深度扩展配置中,一个脉冲被发送
RXO
to
RXI
下一个器件的
当在FIFO中的最后位置被读出。
数据输出为一个18位总线。
+ 5V电源引脚。
八接地引脚的PLCC和7引脚TQFP的/ STQFP 。
3
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO ™
256 ×18 , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,4096 ×18
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
Com'l & Ind'l
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流
工作条件
符号
参数
电源电压
V
CC
Com'l / Ind'l
GND
V
IH
V
IL
(1)
T
A
T
A
电源电压
输入高电压
Com'l / Ind'l
输入低电压
Com'l / Ind'l
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
4.5
0
2.0
0
–40
典型值。
5.0
0
MAX 。 UNIT
5.5
V
0
0.8
70
85
V
V
V
°C
°C
2766 TBL 03
注意:
2766 TBL 02
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明,在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
注意:
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
(商业: V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业: V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
IDT72205LB
IDT72215LB
IDT72225LB
IDT72235LB
IDT72245LB
商业和工业
(1)
t
CLK
= 10,15, 25纳秒
分钟。
典型值。
–1
–10
2.4
符号
I
LI
(2)
I
LO
(3)
参数
输入漏电流(任何输入)
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压,I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压,I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
马克斯。
1
10
0.4
60
5
单位
µA
µA
V
V
mA
mA
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
2766 TBL 04
注意事项:
1.工业温度范围的产品为为15ns和25ns的速度等级可作为标准设备。
2.测量0.4
V
IN
V
CC
.
3.
OE
V
IH ,
0.4
V
OUT
V
CC
.
4.测试与产出开放(I
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换,在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.对于72205/72215/72225的典型I
CC1
= 1.81 + 1.12*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
(单位为mA) ;
为72245分之72235的典型I
CC1
= 2.85 + 1.30*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
(单位为mA) 。
这些方程是有效的在下列条件下:
V
CC
= 5V ,T
A
= 25 ° C,F
S
= WCLK频率= RCLK频率(以MHz为单位,采用TTL电平) ,数据在f开关
S
/2, C
L
=容性负载(单位为pF ) 。
7,所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ,除RCLK和WCLK ,这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
2766 TBL 05
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
2766 TBL 06
注意事项:
1.输出取消, (
OE
V
IH
).
2.特征值,而不是目前的测试。
4
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO ™
256 ×18 - BIT , 512 ×18 , 1024 ×18 , 2048 ×18 ,4096 ×18
商用和工业温度范围
AC电气特性
(商业: V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业: V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
广告
72205LB10
72215LB10
72225LB10
72235LB10
72245LB10
分钟。马克斯。
2
10
4.5
4.5
3
0
3
0
10
8
8
0
3
3
3
3.5
5
5
100
6.5
15
6
6
6.5
6.5
17
17
17
6.5
Com'l & Ind'l
(1)
72205LB15
72205LB25
72215LB15
72215LB25
72225LB15
72225LB25
72235LB15
72235LB25
72245LB15
72245LB25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
2
15
6
6
4
1
4
1
15
10
10
0
3
3
6.5
5
6
6
66.7
10
20
8
8
10
10
24
24
24
10
2
25
10
10
6
1
6
1
25
15
15
0
3
3
10
10
10
10
40
15
25
12
12
15
15
26
26
26
15
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
PAF
t
PAE
t
HF
t
XO
t
XI
t
XIS
t
SKEW1
t
SKEW2
参数
时钟周期频率
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(2)
复位建立时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能,以在低Z输出
(3)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(3)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
时钟可编程几乎全部
时钟可编程几乎空
时钟到半满标志
时钟输出扩展
扩展脉冲宽度
扩大建立时间
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为全旗
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为空标志
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.工业温度范围是可以作为标准产品为15ns的
和25ns的速度等级。
2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
3.价值由设计保证,目前尚未进行测试。
2766 TBL 07
5V
1.1K
D.U.T.
680Ω
30pF*
2766 DRW 04
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

IDT72215LB10J

CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
15 IDT

IDT72215LB10JI

CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
19 IDT

IDT72215LB10PF

CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
20 IDT

IDT72215LB10PFI

CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
17 IDT

IDT72215LB10TF

CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
33 IDT
    IDT72215LB
    应用领域和描述
    先进先出芯片

    CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
    CMOS SyncFIFOO 256 ×18 , 512 ×18 , 1024× 18 , 2048× 18和4096 ×18

    总16页 (185K) INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
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