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IDT72V231L15JI 3.3伏的CMOS SyncFIFO⑩ 256 ×9 , 512× 9 , 1,024× 9 , 2048 ×9 , 4096 ×9和8,192 ×9 (3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9 and 8,192 x 9)
.型号:   IDT72V231L15JI
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描述: 3.3伏的CMOS SyncFIFO⑩ 256 ×9 , 512× 9 , 1,024× 9 , 2048 ×9 , 4096 ×9和8,192 ×9
3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9 and 8,192 x 9
文件大小 :   117 K    
页数 : 14 页
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品牌   IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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3.3伏的CMOS SyncFIFO ™
256 x 9, 512 x 9,
1,024 x 9, 2,048 x 9,
4096 ×9和8,192 ×9
IDT72V201 , IDT72V211
IDT72V221 , IDT72V231
IDT72V241 , IDT72V251
产品特点:
256 ×9位组织IDT72V201
512× 9位组织IDT72V211
1,024× 9位组织IDT72V221
2048 ×9位组织IDT72V231
4096 ×9位组织IDT72V241
8,192 ×9位组织IDT72V251
10纳秒的读/写周期时间
5V输入容限
读写时钟可以是独立的
双口零落空时体系结构
空和满标志信号FIFO状态
可编程几乎空和几乎全部的标志可以被设置为
任何深度
可编程几乎空和几乎全部的标志默认
空+ 7 ,和全-7,分别
输出使能输出数据总线的高阻抗状态
先进的亚微米CMOS技术
可提供32引脚塑料有引线芯片载体( PLCC )和32引脚
塑料薄型四方扁平封装( TQFP )
工业级温度范围( ? 40 ° C至+ 85°C ),可
°
°
描述:
该IDT72V201 / 72V211 / 72V221 / 72V231 / 72V241 / 72V251 SyncFIFOs ™
非常高速,低功耗的先入先出(FIFO)存储器与
主频读写控制。的体系结构,功能和操作销
指配的那些相同的IDT72201的/ 72211 /七万二千二百三十一分之七万二千二百二十一/
七万二千二百五十一分之七万二千二百四十一,但在3.0V和之间的供电电压(Vcc )操作
3.6V 。这些器件具有256 , 512 , 1024 , 2048 , 4096和8192 ×9位
存储器阵列,分别。这些FIFO适用于各种各样的
数据缓冲的需要,如图形,局域网和处理器间
通信。
这些FIFO中有9位的输入和输出端口。输入端口是
通过一个自由运行的时钟( WCLK )控制,和两个写使能引脚
( WEN1 , WEN2 ) 。数据被写入到同步FIFO在每个上升
当写使能引脚被置时钟边沿。的输出端口是
由另一个时钟引脚控制( RCLK )和两个读使能引脚( REN1 ,
REN2).
读时钟可连接到所述写时钟为单个时钟
操作或两个时钟可以运行彼此异步为双
时钟操作。一输出使能引脚(OE )设置在所述读端口
对于输出三态控制。
同步FIFO中有两个固定的标志,空( EF )和满( FF ) 。
两个可编程的标志,几乎空( PAE )和几乎全部( PAF ) ,是
提供改进的系统控制。可编程标志默认
空+ 7和全7
PAE
PAF ,
分别。可编程标志
偏移装载是由一个简单的状态机控制,并通过发出启动
负载销(LD)。
这些FIFO使用IDT的高速亚微米CMOS捏造
技术。
功能框图
WCLK
WEN1
WEN2
输入寄存器
偏移寄存器
EF
PAE
PAF
FF
D
0
- D
8
LD
写控制
逻辑
RAM阵列
256 x 9, 512 x 9,
1,024 x 9, 2,048 x 9,
4,096 x 9, 8,192 x 9
逻辑
写指针
读指针
读控制
逻辑
输出寄存器
复位逻辑
RCLK
REN1
REN2
RS
OE
Q
0
- Q
8
4092 DRW 01
IDT和IDT标识是注册为Integrated Device Technology ,Inc.的商标SyncFIFO是集成设备技术公司的商标。
商用和工业温度范围
1
©2002
集成设备技术, Inc.保留所有权利。产品规格如有变更,恕不另行通知。
2002年2月
DSC-4092/2
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