元器件型号: | 2N6620 |
生产厂家: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
描述和应用: | NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:94K) |
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型号参数:2N6620参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.68 |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 125 °C |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 3600 MHz |
Base Number Matches | 1 |
NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER
NPN硅晶体管实现低噪声射频宽带放大器