BSM181/R [INFINEON]

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMOPAC-4;
BSM181/R
元器件型号: BSM181/R
生产厂家: INFINEON TECHNOLOGIES AG    INFINEON TECHNOLOGIES AG
描述和应用:

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMOPAC-4

局域网 开关 晶体管
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型号参数:BSM181/R参数
生命周期Obsolete
包装说明SIMOPAC-4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.31
其他特性FREDFET
配置SINGLE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)36 A
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)700 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1