BSS169I [INFINEON]
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。;
| 型号： | BSS169I |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。 |
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