元器件型号: | BUZ72AL-E3046 |
生产厂家: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
描述和应用: | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN |
PDF文件: | 总8页 (文件大小:196K) |
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型号参数:BUZ72AL-E3046参数 | |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.26 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 59 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.25 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 36 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN