CLX34-00 [INFINEON]
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET; HiRel它的X波段砷化镓电MESFET
| 型号： | CLX34-00 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| 文件： | 总9页 (文件大小：589K) |
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CLX34
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor
• For professional power amplifiers
• For frequencies from 500 MHz to 10 GHz
• Hermetically sealed microwave power package
• Low thermal resistance for
high voltage application
• Power added efficiency > 53 %
• Component Under Development,
Package Modifications Fores een
ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration Package
1
2
3
CLX34-00 (ql)
CLX34-05 (ql)
CLX34-10 (ql)
-
see below
G
S
D
MWP-25
tbc.
CLX34-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)
(ql) Quality Level:
P: Professional Quality,
H: High Rel Quality,
S: Space Quality,
Ordering Code:
Ordering Code:
Ordering Code:
Ordering Code:
on request
on request
on request
on request
ES: ESA Space Quality,
(see order instructions for ordering example)
S e miconductor Group
1 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
VDS
VDG
VGS
ID
Values
Unit
V
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
11
13
V
- 6
V
2000
mA
mA
dB
Gate forward current
IG
10
Compression Level
PC
1.5 at VDS ≤ 8 V
2.5 at VDS ≤ 7 V
3.5 at VDS ≤ 6 V
3.5 at VDS ≤ 6 V
1)
Operation Range 1
Compression Level
Operation Range 2
PC
PC
dB
dB
2)
3)
Compression Level
Operation Range 3
tbd.
Junction temperature
TJ
175
°C
°C
W
°C
Storage temperature range
Tstg
Ptot
Tsol
- 65...+ 175
5.4
4)
Total power dissipation
5)
230
Soldering temperature
Thermal Res is tance
Junction-soldering point
Rth JS
K/W
≤ 20
Notes .:
1) Operation Range 1: 400 mA ≤ ID ≤ 800 mA
2) Operation Range 2: ID > 800 mA
3) Operation Range 3: ID < 400 mA
4) At TS = + 40 °C. For TS > + 40 °C derating is required.
5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have
elapsed.
S e miconductor Group
2 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Electrical Characteris tics (at TA=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteris tics
Drain-source saturation current
VDS = 2 V, VGS = 0 V
IDss
900
1500
2000 mA
Gate threshold voltage
-VGth
1.2
2.2
3.2
V
VDS = 3 V, ID = 60 mA
Drain current at pinch-off, low VDS
VDS = 3 V, VGS = -3.5 V
IDp3
-
-
400
120
µA
µA
Gate current at pinch-off, low VDS
VDS = 3 V, VGS = -3.5 V
-IGp3
IDp9.5
-IGp9.5
gm
-
-
Drain current at pinch-off, high VDS
VDS = 9.5 V, VGS = -3.5 V
Gate current at pinch-off, high VDS
VDS = 9.5 V, VGS = -3.5 V
Transconductance
-
-
3000 µA
1200 µA
-
-
660
-
780
16
-
-
mS
VDS = 3 V, ID = 600 mA
Thermal resistance
Rth JS
K/W
Junction to soldering point
VDS = 8 V, ID = 600 mA, Ts = +25°C
S e miconductor Group
3 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Electrical Characteris tics (continued)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteris tics
1)
Glp
dB
Linear power gain
VDS = 8 V, ID = 600 mA, f = 2.3 GHz,
Pin = 11 dBm
CLX34-00
CLX34-05
CLX34-10
13.5
14.0
14.0
14.5
15.0
15.0
-
-
-
1)
P1dB
dBm
Power output at 1dB gain compr.
VDS = 8 V, ID(RF off) = 600 mA, f = 2.3 GHz
CLX34-00
-
-
-
33.2
34.0
34.5
-
-
-
CLX34-05
CLX34-10
Output Power 1)
Pout
dBm
VDS = 8 V, ID(RF off) = 600 mA, f = 2.3 GHz,
Pin = 21.0 dBm
CLX34-00
32.7
33.7
34.2
33.2
34.0
34.5
-
-
-
CLX34-05
CLX34-10
Power added efficiency 1), 2)
PAE
%
VDS = 8 V, ID(RF off) = 600 mA, f = 2.3 GHz,
Pin = 21.0 dBm
CLX34-00
CLX34-05
CLX34-10
Notes .:
42
44
46
47
51
53
-
-
-
1) RF Power characteristics given for power matching conditions
2) Power added efficiency: PAE = (PRFout - PRFin) / PDC
S e miconductor Group
4 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Typical Common Source S-Parameters
VDS = 3 V, ID = 600 mA, Zo = 50 Ω
<S 21 |S 12| <S 12 |S 22|
[ma gn] [a ngle ] [ma gn] [a ngle ] [ma gn] [a ngle ] [ma gn] [a ngle ] [ma gn]
f
|S 11|
<S 11
|S 21|
<S 22
k-Fa ct. S 2 1 /S 1 2
MAG
[dB]
[GHz]
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
3,0
3,2
3,4
3,6
3,8
4,0
4,2
4,4
4,6
4,8
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
[dB]
23,5
21,8
20,4
19,3
18,3
17,4
16,7
16,0
15,4
14,8
14,3
13,7
13,3
12,9
12,6
12,2
11,9
11,6
11,3
11,0
10,7
10,4
10,1
9,5
8,9
8,3
7,8
7,3
6,9
6,5
6,1
5,7
5,3
5,0
4,7
4,5
4,2
4,0
3,7
3,5
0,900
0,906
0,911
0,914
0,916
0,918
0,919
0,919
0,919
0,919
0,919
0,919
0,918
0,918
0,917
0,916
0,916
0,916
0,916
0,916
0,916
0,916
0,916
0,915
0,914
0,913
0,912
0,911
0,909
0,908
0,907
0,906
0,905
0,905
0,905
0,904
0,900
0,893
0,883
0,871
0,856
0,839
0,817
0,789
0,758
0,724
0,699
0,682
0,668
-133
-151
-163
-171
-177
178
174
170
166
163
161
158
156
153
151
149
147
145
143
140
138
136
135
130
125
120
116
111
106
100
94
89
83
78
73
69
64
59
54
49
44
38
32
25
18
11
4
4,453
3,402
2,688
2,208
1,872
1,624
1,433
1,283
1,162
1,063
0,981
0,912
0,852
0,816
0,785
0,752
0,718
0,687
0,664
0,642
0,616
0,595
0,576
0,540
0,504
0,478
0,454
0,435
0,418
0,404
0,390
0,378
0,367
0,356
0,348
0,342
0,339
0,339
0,342
0,348
0,358
0,372
0,387
0,402
0,421
0,440
0,461
0,482
0,505
115
100
91
84
79
75
71
67
63
60
57
54
51
48
45
42
40
38
35
33
30
28
26
20
14
0,0200
0,0224
0,0247
0,0260
0,0276
0,0293
0,0306
0,0320
0,0336
0,0351
0,0368
0,0388
0,0403
0,0420
0,0436
0,0453
0,0464
0,0480
0,0493
0,0510
0,0524
0,0544
0,0560
0,0599
0,0651
0,0702
0,0753
0,0807
0,0856
0,0913
0,0962
0,1016
0,1070
0,1118
0,1171
0,1224
0,1291
0,1358
0,1450
0,1561
0,1693
0,1850
0,2026
0,2209
0,2420
0,2636
0,2844
0,3044
0,3253
32
30
29
28
27
27
26
26
26
25
25
25
25
25
24
23
22
21
21
20
18
18
16
13
11
8
5
1
-3
0,836
0,840
0,844
0,847
0,851
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,853
0,854
0,853
0,854
0,853
0,854
0,854
0,854
0,854
0,855
0,855
0,856
0,856
0,856
0,856
0,857
0,858
0,860
0,860
0,861
0,860
0,858
0,854
0,846
0,837
0,824
0,811
0,796
0,777
0,757
0,739
0,724
0,714
175
172
169
167
164
162
159
157
155
153
151
149
147
145
144
142
140
139
137
136
133
132
130
126
122
118
114
110
105
100
95
90
85
81
77
73
69
65
61
57
54
50
46
42
38
34
30
0,55
0,63
0,70
0,77
0,83
0,88
0,94
0,99
1,04
1,08
1,11
1,14
1,17
1,19
1,19
1,20
1,23
1,24
1,25
1,25
1,27
1,26
1,27
1,27
1,27
1,26
1,25
1,24
1,23
1,22
1,22
1,21
1,20
1,19
1,17
1,15
1,15
1,16
1,17
1,19
1,20
1,20
1,21
1,22
1,22
1,22
1,20
1,18
1,14
14,2
13,1
12,2
11,4
10,7
10,3
9,9
9,5
9,0
8,6
8,3
8,0
7,6
7,3
7,0
6,4
5,8
5,3
4,8
4,4
4,0
3,6
3,2
2,9
2,6
2,4
2,2
2,1
1,8
1,5
1,2
0,9
0,6
0,3
0,0
8
2
-4
-10
-16
-22
-28
-34
-39
-44
-49
-54
-59
-64
-69
-74
-79
-85
-92
-99
-106
-113
-118
-123
-7
-11
-16
-20
-25
-29
-33
-36
-40
-44
-49
-54
-59
-65
-72
-79
-87
-94
-99
-103
3,2
3,0
2,8
2,6
2,4
2,2
2,1
2,0
-0,2
-0,4
-0,6
-0,6
-0,6
-0,4
-2
-8
26
23
1,9
S e miconductor Group
5 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Typical Common Source S-Parameters (continued)
VDS = 5 V, ID = 600 mA, Zo = 50 Ω
f
|S 11|
<S 11
|S 21|
<S 21
|S 12|
<S 12
|S 22|
<S 22
k-Fa ct. S 2 1 /S 1 2
MAG
[dB]
[GHz]
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
3,0
[ma g]
0,879
0,890
0,898
0,906
0,910
0,912
0,912
0,912
0,912
0,912
0,912
0,911
0,912
[a ng]
-131
-150
-161
-170
-176
179
175
171
167
164
[ma g]
6,283
4,812
3,803
3,123
2,645
2,293
2,023
1,810
1,637
1,496
1,378
1,280
1,210
[a ng]
115
100
91
84
78
73
69
65
61
[ma g]
0,0207
0,0224
0,0243
0,0255
0,0269
0,0283
0,0294
0,0307
0,0325
0,0340
0,0352
0,0370
0,0383
[a ng]
35
30
28
27
26
26
26
27
27
28
28
28
28
[ma g]
0,741
0,748
0,754
0,760
0,764
0,766
0,769
0,770
0,772
0,773
0,773
0,774
0,775
[a ng]
177
174
171
168
165
163
161
159
157
155
153
151
149
[ma g]
0,62
0,66
0,72
0,77
0,83
0,89
0,96
1,02
1,06
1,11
1,16
1,18
1,21
[dB]
24,8
23,3
21,9
20,9
19,9
19,1
18,4
17,7
17,0
16,4
15,9
15,4
15,0
16,9
15,5
14,4
13,5
12,8
12,2
57
54
50
47
161
158
155
3,2
3,4
3,6
3,8
4,0
4,2
4,4
4,6
4,8
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
0,911
0,911
0,911
0,911
0,910
0,911
0,911
0,910
0,911
0,910
0,911
0,910
0,910
0,910
0,909
0,909
0,909
0,909
0,909
0,908
0,908
0,907
0,906
0,903
0,897
0,887
0,876
0,862
0,846
0,826
0,800
0,773
0,743
0,722
0,708
0,698
152
150
148
146
144
142
140
138
137
135
130
126
121
117
112
107
101
95
89
84
79
74
69
65
60
55
1,146
1,092
1,043
0,995
0,952
0,913
0,877
0,839
0,810
0,778
0,710
0,653
0,606
0,568
0,536
0,508
0,483
0,460
0,439
0,420
0,402
0,386
0,373
0,363
0,357
0,354
0,353
0,356
0,364
0,370
0,381
0,394
0,408
0,425
0,441
0,455
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20
13
6
-1
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27
26
26
25
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24
23
22
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19
16
13
10
7
2
-2
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148
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145
143
141
140
139
137
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105
100
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77
74
71
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1,30
1,29
1,29
1,29
1,28
1,27
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1,24
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2,5
2,3
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10,0
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9,4
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5,1
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3,8
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3,7
3,7
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2,7
2,1
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1,1
0,7
0,3
0,0
-0,3
-0,3
-0,2
0,1
-7
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9,0
9,5
-7
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-96
10,0
10,5
11,0
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5
60
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48
44
40
36
1,9
-2
-7
33
30
1,7
1,6
S e miconductor Group
6 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Typical Common Source S-Parameters (continued)
VDS = 8 V, ID = 600 mA, Zo = 50 Ω
f
|S 11|
<S 11
|S 21|
<S 21
|S 12|
<S 12
|S 22|
<S 22
k-Fa ct. S 2 1 /S 1 2
MAG
[dB]
[GHz]
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
3,0
3,2
3,4
3,6
3,8
4,0
4,2
4,4
4,6
4,8
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
[ma g]
0,841
0,868
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0,898
0,903
0,905
0,906
0,906
0,907
0,906
0,907
0,907
0,907
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0,910
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0,913
0,914
0,914
0,917
0,919
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0,900
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0,724
[a ng]
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-147
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-174
-180
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172
169
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162
159
156
155
152
150
148
146
144
142
140
138
136
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127
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117
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107
101
96
90
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79
74
69
65
60
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50
45
39
33
26
19
11
4
[ma g]
8,425
6,543
5,202
4,284
3,632
3,146
2,771
2,474
2,232
2,032
1,865
1,722
1,601
1,494
1,399
1,314
1,238
1,177
1,120
1,071
1,020
0,978
0,933
0,839
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0,688
0,632
0,585
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0,415
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0,304
0,308
0,318
0,329
0,341
0,354
0,365
[a ng]
108
97
89
81
75
69
64
59
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51
47
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39
35
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29
26
23
20
17
14
10
8
0
[ma g]
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0,2847
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0,3256
[a ng]
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33
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31
31
31
31
31
32
32
33
34
34
34
34
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33
32
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9
[ma g]
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0,810
0,809
[a ng]
-179
178
175
173
171
169
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165
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162
160
159
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156
155
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152
150
149
148
146
145
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136
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113
108
102
97
92
88
84
80
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73
69
65
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45
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37
34
[ma g]
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0,86
0,88
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1,00
1,07
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1,19
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1,38
1,40
1,40
1,40
1,41
1,39
1,37
1,36
1,33
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1,25
1,19
1,14
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1,01
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1,03
1,04
1,03
1,01
0,98
[dB]
27,2
25,5
24,3
23,2
22,3
21,5
20,7
20,0
19,4
18,8
18,2
17,7
17,1
16,7
16,1
15,7
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13,4
12,9
12,4
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10,6
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9,4
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8,6
8,4
-7
-14
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5
0
-5
-9
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-91
1,5
1,2
1,0
0,8
0,6
0,5
0,6
0,2
-0,3
-0,3
0,1
-3
-8
S e miconductor Group
7 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
Order Ins tructions :
Full type variant including quality level must be specified by the orderer. For HiRel Discrete
and Microwave Semiconductors the ordering code specifies device family and quality level
only.
Ordering Form:
Ordering Code: Q..........
CLX34- (nn) (ql)
(nn):
Output Power Level
(ql): Quality Level
Ordering Example:
Ordering Code: on request
CLX34-10 ES
For CLX34; Output Power Level 10 (Pout>34.2 dBm)
in ESA Space Quality Level
Further Informations :
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www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm
- HiRel Discrete and Microwave Semiconductors
www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm
Please contact also our marketing division :
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S e miconductor Group
8 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
CLX34
MWP-25 Package
Publis hed by Infineon Technologies Semiconductors ,
High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709,
D-81617 Munich.
Infineon Technologies AG 1998. All Rights Res erved.
As far as patents or other rights of third parties are
concerned, liability is only assumed for components per
se, not for applications, processes and circuits
implemented within components or assemblies.
The information describes the type of component and shall
not be considered as assured characteristics.
1
3
Terms of delivery and rights to change design reserved.
2
For questions on technology, delivery and prices please
contact the Offices of Semiconductor Group in Germany or
the
Infineon
Technologies
Companies
and
Representatives woldwide (see address list).
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the type in
question
please
contact your nearest Infineon
Technologies Office, Semiconductor Group.
Infineon Technologies Semiconductors is a certified CECC
and QS9000 manufacturer (this includes ISO 9000).
S e miconductor Group
9 of 10
Dra ft D, S e pte mbe r 99
相关型号：
CLX34-00H
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-00S
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-05ES
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-05H
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-10ES
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-10H
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-10P
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
CLX34-10S
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN
INFINEON
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