D1031SH45T [INFINEON]
D1031SH IGCT-Diode 盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 100mm,高度 26mm。;型号: | D1031SH45T |
厂家: | Infineon |
描述: | D1031SH IGCT-Diode 盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 100mm,高度 26mm。 快速恢复二极管 |
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
Key Parameters
VRRM
4500 V
IFAVM
1120 A (TC=85 °C)
23000 A
IFSM
VT0
1,78 V
rT
0,968 mΩ
10 K/kW
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
27 … 45 kN
100 mm
62,8 mm
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungsumrichter
Medium voltage converters
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Pulsed Power - Applikationen
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed power applications
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
QR class (optional)
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of Publication: 2015-04-01
Revision: 8.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... Tvj max
Tc = 85°C
VRRM
4500 V
1760 A
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
IFAVM
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 70°C, f=50Hz
TC = 55°C, f=50Hz
1120 A
1300 A
1460 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
I²t
23000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
10³ A²s
2645
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = Tvjmax
PRQ
4 MW
IFM = 2500A, VCL = 2800V
clamp circuit LS ≤ 0,25µH
RCL = 68, CCL = 3µF
DCL = 34DSH65
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate < 100
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
Tvj = Tvj max
VR(D)
vF
V(TO)
estimate 2800 V
value
Durchlaßspannung
on-state voltage
typ. 3,85 V
max. 4,20 V
Schleusenspannung
threshold voltage
typ. 1,63 V
max. 1,78 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ. 0,888 mΩ
max. 0,968 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
A
0,55
Durchlaßkennlinie
200A iF 3000A
on-state characteristic
B
C
D
A
B
C
D
-0,0000327
-0,0692
0,0784
vF A B iF C Ln (iF 1) D iF
max.
0,599
-0,0000369
-0,0755
0,0853
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM
iR
typ.
max.
max.
350 V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
100 mA
3,5 mAs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
-di/dt = 1000A/µs
Rückstromspitze
IRM
max. 1500 A
peak reverse recovery current
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68Ω, CCL = 3µF,
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
WRQ
FRRS
max.
typ.
7 Ws
DCL = 34DSH65,
Tvj = Tvjmax
Abklingsanftheit
1,6
reverse recovery softness factor
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt(i=0)
rf = 200ns
TM
date of publication:
revision:
2015-04-01
8.2
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Revision: 8.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
max.
max.
max.
max.
11,1 K/kW
10,0 K/kW
17,4 K/kW
23,6 K/kW
Thermische Eigenschaften
RthJC
Anode / anode, DC
Mechanische Eigenschaften
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
K/kW
K/kW
max.
max.
3,0
6,0
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
0...+140 °C
Lagertemperatur
-40...+150 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
F
27...45 kN
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
17 mm
C
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
50 m/s²
vibration resistance
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
R,t – Werte
R
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R,T-Werte
3,54
0,9
3,73
0,118
0,39
0,253
0,24
0,745
1,55
0,93
0,25
Rthn [K/kW]
beidseitig
two-sided
0,0282
4,62
0,00422
1,16
0,00134
0,63
τn [s]
10,6
4,89
16,87
4,52
Rthn [K/kW]
anodenseitig
anode-sided
0,0883
4,26
0,00932
1,3
0,00185
0,93
τn [s]
Rthn [K/kW]
kathodenseitig
cathode-sided
0,113
0,0214
0,00359
τn [s]
nmax
-t
n
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC
Rthn 1 e
n=1
25
20
15
10
5
cl
al
bl
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z thJC = f(t)
for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
3500
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
3000
2500
2000
1500
1000
500
max.
typ.
0
0
1
2
3
4
5
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
Tc beidseitig
IFM=2500A
IFM=1000A
IFM=500A
IFM=250A
0
0
200
400
600
-di/dt [A/µs]
800
1000
1200
1400
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
1800
1600
1400
1200
1000
800
IFM=2500A
IFM=1000A
IFM=500A
IFM=250A
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
8
7
6
5
4
3
2
1
IFM=2500A
IFM=1000A
IFM=500A
IFM=250A
0
0
200
400
600
-di/dt [A/µs]
800
1000
1200
1400
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy WRQ = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Revision: 8.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
400
350
300
250
200
150
100
50
typ.
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
diF/dt [A/µs]
Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage
VFRM = f(diF/dt)
Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A
Date of Publication: 2015-04-01
Revision: 8.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1031SH
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- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
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Revision: 8.2
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相关型号:
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