D1170S20T [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2140A, 2000V V(RRM), Silicon,;


型号：	D1170S20T
厂家：	Infineon
描述：	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2140A, 2000V V(RRM), Silicon, 二极管
文件：	总6页 (文件大小：84K)
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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 1170 S 20...25

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

2000

2500

Stoßspitzensperrspannung

2100

2600

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

3360

T_C=85°C

T_C=31°C

Dauergrenzstrom

1170

2140

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

27500

24000

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

3780000 A²s

2880000 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 6400 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,62

1,16

0,21

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ.

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt= A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

t_fr

T_vj= T_{vj max,}i_FM

di_F/dt= A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

25 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

250 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=1000A,-di_F/dt=250A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

Rückstromspitze

I_RM

580

peak reverse recovery current

µAs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=1000A,-di_F/dt=250A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

1700

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=1000A,-di_F/dt=250A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=1000A,-di_F/dt=250A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 1170 S 20...25

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided, Q =180°sin

thermal resitance, junction to case

max. 0,0194 °C/W

max. 0,0184 °C/W

max. 0,0360 °C/W

max. 0,0350 °C/W

max. 0,0400 °C/W

max. 0,0390 °C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, Q =180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Q =180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thCK

thermal resitance, case to heatsink

max. 0,0035 °C/W

einseitig / single-sided

max.

0,007 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

125 °C

Betriebstemperatur

-40...+125 °C

-40...+150 °C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Durchmesser/diameter 51mm

Anpreßkraft

18...50 kN

clamping force

Gewicht

weight

typ.

560

Kriechstrecke

30 mm

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

f = 50Hz

humidity classification

Schwingfestigkeit

50 m/s²

vibration resistance

Kühlkörper / heatsinks: K0,05F ; K0,08F ; 2K0,024W

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 1170 S 20...25

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical ementes of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Kühlung

cooling

Pos.n

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

0,000057 0,00107 0,0018 0,00776 0,00771

0,000198 0,00183 0,0126 0,167 1,22

t [s]

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

0,000057 0,00107 0,00184 0,00893 0,0231

0,000198 0,00183 0,0126 0,191 5,95

t [s]

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

0,000057 0,00107 0,00171 0,00854 0,02762

t [s]

0,000198 0,00182 0,0117

0,167

7,6

n _max

Analytische Funktion / analytical function : Z_thJC= = å R_thn( 1 - EXP ( - t / t_n))

n=1

SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 1170 S 20...25

SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 1170 S 20...25

10.000

9.000

8.000

7.000

6.000

5.000

4.000

3.000

2.000

1.000

0,5

1,5

2,5

3,5

v_F[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i_F=f(v_F)

T_vj= T _{vj max}

SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke

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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

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