D1230N16TXPSA1 [INFINEON]

Rectifier Diode,;


型号：	D1230N16TXPSA1
厂家：	Infineon
描述：	Rectifier Diode, 二极管
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM1200

1400

1600 V

1800 V

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

1669 A

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

1230 A

1650 A

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

2590 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

14800 A

11800 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

1095 10³A²s

696 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3,2 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

v_F

max.

1,77 V

1,063 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,81 V

mΩ

0,28

Ersatzwiderstand

slope resistance

-4,216E-01

3,674E-04

2,591E-01

-1,902E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_F≤ 4000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

Thermische Eigenschaften

i_R

50 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max.

0,039 °C/W

0,035 °C/W

0,062 °C/W

0,058 °C/W

0,093 °C/W

0,089 °C/W

thermal resistance, junction to case

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0075

max.

°C/W

0,0150 °C/W

180

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2010-01-20

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D1230N

Rectifier Diode

^{Mechanische Eigenschaften / Mechanica}M^{l pro}e^pec^rtih^esanische Eigenschaften

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Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

6...15 kN

Gewicht

weight

typ.

110 g

Kriechstrecke

creepage distance

10 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

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Netz-Gleichrichterdiode

D1230N

Rectifier Diode

Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJCfor DC

Transienter Wärmewiderstand

Kühlung /

Cooling

Pos. n

R_thn[°C/W] 0,00037

0,00030

R_thn[°C/W] 0,00037

0,00485

0,00257

0,00475

0,02040

0,0118

0,0806

0,01323

0,41100

beidseitig

two-sided

τ_n[s]

0,00491

0,00258

0,00505

0,00263

0,00648

0,02450

0,00637

0,02770

0,01914

0,15500

0,01726

0,14600

0,0271

2,7500

anodenseitig

anode-sided

0,00030

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,00037

0,05995

2,82000

kathodenseitig

cathode-sided

0,00030

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

−

Z_thJC

R_thn1 e

Analytische Funktion / Analytical function:

n=1

0,10

0,09

0,08

0,07

0,06

0,05

0,04

0,03

0,02

0,01

0,00

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z _thJC= f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

Erhöhung des Z_{th DC}bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

Diagramme

∆Z_{th Θ rec}/ ∆Z_{th Θ sin}

Diagramme

Kühlung / Cooling

Θ = 180°

Θ = 120°

Θ = 90°

Θ = 60°

Θ = 30°

∆Z_{th Θ rec}

0,00706

0,00450

0,00448

0,00334

0,00448

0,00334

0,01217

0,01612

0,02182

0,03109

[°C/W]

beidseitig

two-sided

∆Z_{th Θ sin}

0,00687

0,00759

0,00489

0,00759

0,00489

0,01012

0,00985

0,00693

0,00985

0,00693

0,01538

0,01292

0,01005

0,01292

0,01005

0,02489

0,01725

0,01518

0,01725

0,01518

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ sin}

5.000

4.500

4.000

3.500

3.000

2.500

2.000

1.500

1.000

500

Durchlasskennlinie

T_vj= T_{vj max}

0,5

0,7

0,9

1,1

1,3

1,5

1,7

1,9

2,1

2,3

2,5

V_F[V]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_F= f(v_F)

T_vj= T_{vj max}

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Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

2500

Durchlassverluste

2000

1500

1000

500

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

200

400

600

800

I_FAV[A]

1000

1200

1400

1600

1800

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_FAV= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Tc beidseitig

180

160

140

120

100

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

200

400

600

800

_FAV[A]

1000

1200

1400

1600

1800

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

10000

i_FM

Qr Diagramm

1600A

800A

400A

200A

100A

50A

1000

100

-di/dt [A/µs]

0,1

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Q_r=f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

RC-Glied / RC-Network: R = 5,6Ω, C = 0,68µF

0-50V

0,33 V_RRM

0,67 V_RRM

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_F(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_F(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

_F(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_{vj max}

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Netz-Gleichrichterdiode

D1230N

Rectifier Diode

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Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung

der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine

solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien

jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine

spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in

diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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the realization of any such measures.

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