D138S10
更新时间:2024-09-18 19:13:50
品牌:INFINEON
描述:Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 1000V V(RRM), Silicon,
D138S10 概述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 1000V V(RRM), Silicon, 整流二极管
D138S10 规格参数
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.75 | Base Number Matches: | 1 |
D138S10 数据手册
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PDF下载Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 138 S 08...10
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 25°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
VRRM
800
900
V
V
V
1000
Stoßspitzensperrspannung
VRSM
900
1000
1100
V
V
V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
IFRMSM
IFAVM
IFSM
230
A
TC =85°C
TC =82°C
Dauergrenzstrom
138
146
A
A
mean forward current
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
1950
1600
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
19000
12800
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iF = 450 A
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
max.
2,4
1,32
2,2
V
Tvj = Tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
V
mW
V
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
rT
forward slope resistance
1)
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
IEC 747-2
VFRM
9,5
Tvj = Tvj max
diF/dt=100A/µs, vR=0V
1)
µs
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / method II
Tvj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr
diF/dt=100A/µs, vR=0V
tfr
max.
1,1
Tvj = 25°C, vR=VRRM
Sperrstrom
iR
max.
max.
5
mA
mA
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
reverse current
40
1)
A
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Rückstromspitze
IRM
47
peak reverse recovery current
1)
µAs
µs
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =225 A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
trr
32
1)
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
1,1
µs/A 2)
Tvj = Tvj max
Sanftheit
Softness
SR
0,003
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke
A 13/ 93
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 138 S 08...10
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided, Q =180°sin
thermal resitance, junction to case
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,141
0,133
0,224
0,216
0,344
0,336
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Q =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Q =180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resitance, case to heatsink
max.
max.
0,015
0,030
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
-40...+125
-40...+150
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Durchmesser/diameter 15mm
Anpreßkraft
F
1,7...3,4
kN
g
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
65
17
C
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
humidity classification
Schwingfestigkeit
50
m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 138 S 08...10
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jöeke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 138 S 08...10
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlung
cooling
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
beidseitig
two-sided
0,00694
0,0131
0,023
0,0335
0,134
0,0552
0,529
0,0011
2,27
t [s]
n
0,000727 0,00909 0,0281
Rthn [°C/W]
anodenseitig
anode-sided
0,00755
0,0246
0,0215
0,064
0,0799
0,412
0,0683
1,88
0,0141
10,8
t [s]
n
0,000812 0,0132
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
0,00784
0,0277
0,022
0,123
0,0947
0,473
0,115
2,17
0,0691
10
t [s]
n
0,000855 0,0143
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC
=
= å Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))
n=1
SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 138 S 08...10
600
500
400
300
200
100
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF)
Tvj = T vj max
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke
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