D138S10

更新时间:2024-09-18 19:13:50
品牌:INFINEON
描述:Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 1000V V(RRM), Silicon,

D138S10 概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 146A, 1000V V(RRM), Silicon, 整流二极管

D138S10 规格参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75Base Number Matches:1

D138S10 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Schnelle Gleichrichterdiode  
Fast Diode  
S
D 138 S 08...10  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 25°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward reverse voltage  
VRRM  
800  
900  
V
V
V
1000  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM  
900  
1000  
1100  
V
V
V
non-repetitive peak reverse voltage  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMS forward current  
IFRMSM  
IFAVM  
IFSM  
230  
A
TC =85°C  
TC =82°C  
Dauergrenzstrom  
138  
146  
A
A
mean forward current  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge foward current  
1950  
1600  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
19000  
12800  
A²s  
A²s  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iF = 450 A  
Durchlaßspannung  
forward voltage  
vF  
max.  
2,4  
1,32  
2,2  
V
Tvj = Tvj max  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
V
mW  
V
Tvj = Tvj max  
Ersatzwiderstand  
rT  
forward slope resistance  
1)  
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung  
peak value of forward recovery voltage  
IEC 747-2  
VFRM  
9,5  
Tvj = Tvj max  
diF/dt=100A/µs, vR=0V  
1)  
µs  
Durchlaßverzögerungszeit  
forward recovery time  
IEC 747-2, Methode / method II  
Tvj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr  
diF/dt=100A/µs, vR=0V  
tfr  
max.  
1,1  
Tvj = 25°C, vR=VRRM  
Sperrstrom  
iR  
max.  
max.  
5
mA  
mA  
Tvj = Tvj max, vR = VRRM  
reverse current  
40  
1)  
A
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max  
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs  
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM  
Rückstromspitze  
IRM  
47  
peak reverse recovery current  
1)  
µAs  
µs  
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max  
iFM =225 A,-diF/dt=100A/µs  
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
Qr  
trr  
32  
1)  
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max  
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs  
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM  
Sperrverzögerungszeit  
reverse recovered time  
1,1  
µs/A 2)  
Tvj = Tvj max  
Sanftheit  
Softness  
SR  
0,003  
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs  
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM  
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)  
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)  
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke  
A 13/ 93  
Seite/page 1  
Technische Information / Technical Information  
Schnelle Gleichrichterdiode  
Fast Diode  
S
D 138 S 08...10  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
RthJC  
beidseitig / two-sided, Q =180°sin  
thermal resitance, junction to case  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
0,141  
0,133  
0,224  
0,216  
0,344  
0,336  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, Q =180°sin  
Anode / anode, DC  
Kathode / cathode, Q =180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Übergangs- Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
RthCK  
thermal resitance, case to heatsink  
max.  
max.  
0,015  
0,030  
°C/W  
°C/W  
einseitig / single-sided  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
max. junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
125  
°C  
°C  
°C  
Betriebstemperatur  
-40...+125  
-40...+150  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Durchmesser/diameter 15mm  
Anpreßkraft  
F
1,7...3,4  
kN  
g
clamping force  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
65  
17  
C
Kriechstrecke  
mm  
creepage distance  
Feuchteklasse  
DIN 40040  
f = 50Hz  
humidity classification  
Schwingfestigkeit  
50  
m/s²  
vibration resistance  
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt  
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but  
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.  
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke  
Seite/page 2  
Technische Information / Technical Information  
Schnelle Gleichrichterdiode  
Fast Diode  
S
D 138 S 08...10  
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jöeke  
Seite/page 3  
Technische Information / Technical Information  
Schnelle Gleichrichterdiode  
Fast Diode  
S
D 138 S 08...10  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC  
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC  
Kühlung  
cooling  
Pos.n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
0,00694  
0,0131  
0,023  
0,0335  
0,134  
0,0552  
0,529  
0,0011  
2,27  
t [s]  
n
0,000727 0,00909 0,0281  
Rthn [°C/W]  
anodenseitig  
anode-sided  
0,00755  
0,0246  
0,0215  
0,064  
0,0799  
0,412  
0,0683  
1,88  
0,0141  
10,8  
t [s]  
n
0,000812 0,0132  
Rthn [°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
0,00784  
0,0277  
0,022  
0,123  
0,0947  
0,473  
0,115  
2,17  
0,0691  
10  
t [s]  
n
0,000855 0,0143  
n max  
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC  
=
= å Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))  
n=1  
SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke  
Seite/page 4  
Technische Information / Technical Information  
Schnelle Gleichrichterdiode  
Fast Diode  
S
D 138 S 08...10  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,5  
1
1,5  
2
2,5  
3
vF [V]  
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF)  
Tvj = T vj max  
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke  
Seite/page 5  

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