D1461S45T [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1720A, 4500V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | D1461S45T |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1720A, 4500V V(RRM), Silicon, 快速恢复二极管 |
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
tvj = -40°C ... tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
3500, 4000
4500
V
V
A
tvj = +25°C ... tvj max
Stoßspitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
3600, 4100
4600
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
2700
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 70°C, f = 50Hz
Dauergrenzstrom
mean forward current
1460
1720
A
A
tvj = tvj max, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
IFSM
32 kA
5,12-106 A2s
500 A/µs
Grenzlastintegral
I2t-value
I2t
iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM
CS = 3µF, RS = 4W
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
(-diF/dt)com
DS = D291S45T
Charakteristische Werte / Characteristic values
failure rate l < 100
typ.
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
VR(D)
2000
2,5
V
estimate value
tvj = tvj max, iF = 2500A
max
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
V
tvj = tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
1,43
V
tvj = tvj max
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
rT
0,38
mW
V
tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
VFRM
typ. 45
tvj = tvj max, vR = VRRM
Sperrstrom
iR
200 mA
reverse current
tvj = tvj max
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
max
840 A
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5W
tvj = tvj max
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
max 2800 µAs
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5W
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max
max
max
0,0125 °C/W
0,0228 °C/W
0,0277 °C/W
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCK
max
max
0,003 °C/W
0,006 °C/W
einseitig / single sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
tc op
tstg
140 °C
-40...+140 °C
-40...+150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Anpreßkraft
F
27...45 kN
clampig force
typ
Gewicht
weight
G
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
20 mm
C
Luftstrecke
air distance
DIN 40040
f = 50Hz
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
50 m/s2
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Outline Drawing
100 max
A
C
62,8
Æ
2 center holes
3.5 1.8
Æ
´
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
On-State Characteristics ( v F )
Upper limit of scatter range
t vj = 140 ° C
3500
typ.
max.
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
VF / [V]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Transient thermal Impedance for constant-current
Double side
cooled
Anode side
cooled
Cathode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1 0,0038
2 0,004
3 0,0029
4 0,0012
5 0,0006
0,0125
2
0,0141
0,004
0,0029
0,0012
0,0006
0,0228
9,2
0,202
0,103
0,0115
0,00245
-
0,019
0,004
0,0029
0,0012
0,0006
0,0277
7,9
0,202
0,103
0,0115
0,00245
-
0,202
0,13
0,0115
0,00245
-
S
0,05
0,045
0,04
0,035
0,03
0,025
0,02
0,015
0,01
0,005
0
nmax
R × 1- e- t/t
n
ZthJC
=
å
thn
n=1
Cathode side
Anode side
Double side
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp )
I²t value
i2 dt = f ( tp )
Sine half-wave, t vj =140 ° C , v R = 0
1,E+05
1,E+04
1,E+03
1,E+07
1,E+06
1,E+05
0,1
1
10
100
Time / [ms]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Reverse Recovery Current IRM = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range
Conditions
:
tvj = 140 ° C
Parameter: IFM
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
VR >= 1000 V
1400
3000A
1000A
1200
1000
800
600
400
200
0
500A
300A
100A
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Reverse Recovery Charge Qrr = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range
Conditions:
tvj = 140 ° C
Parameter: IFM
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
VR >= 1000 V
4500
3000A
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
1000A
500A
300A
100A
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt )
Standard value for diodes with VT(T0) = 1,43 V, rT = 0,38 mW
Conditions:
tvj = 140 ° C
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
Parameter: IFM
VR = 2000 V - - - -
VR = 3000 V ____
3
2,5
3000A
1000A
2
500A
300A
1,5
1
100A
0,5
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt )
Standard value for diodes with VT(T0) = 1,12 V, rT = 0,39 mW
Conditions:
tvj = 140 ° C
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
Parameter: IFM
VR = 2000 V - - - -
VR = 3000 V ____
3
3000A
1000A
2,5
500A
300A
2
1,5
1
100A
0,5
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1461 S 35 ... 45 T
Fast Diode
S
Typical Peak Forward Recovery Voltage VFRM = f (diF/dt)
linear di/dt
Parameter tvj
60
50
40
30
20
10
0
140°C
25°C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
di/dt / [A/µs]
SZ-M / 16 June 1997, Beuermann
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