D2650N2000 [INFINEON]
Rectifier Diode,;
| 型号： | D2650N2000 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, |
| 文件： | 总4页 (文件大小：105K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 2650 N
C
A
ø50
ø3,5x3,5 deep
max.12
ø3,5x3,5tief
ø50
pump out pipe metallic
connected to the cathode
74
VWK July 1996
D 2650 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzuälssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C... t vj max
VRRM
2000, 2200
2400
+ 100
4,71
V
V
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max
RMS forward current
VRSM = VRRM
IFRMSM
V
kA
kA
kA
mean forward current
surge forward current
I2 t-value
tc = 100 °C
IFAVM
2,65
tc = 83 °C
3
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
IFSM
41 kA 1)
33,5
kA
8405 kA2s
5611 kA2s
I2 t
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iF = 9 kA
tvj = tvj max
VT
max.
max.
2,25
0,82
0,148
200
V
V
threshold voltage
slope resistance
reverse current
VT(TO)
rT
tvj = tvj max
mW
mA
tvj = tvj max, VR = VRRM
iR
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Innerer Widerstand
beidseitig/two-sided, Q =180° sin RthJC
beidseitig/two sided, DC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0169 °C/W
0,0160 °C/W
0,0329 °C/W
0,0320 °C/W
0,0329 °C/W
0,0320 °C/W
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
Anode/anode, Q =180° sin
Anode/anode, DC
Kathode/cathode, Q =180° sin
Kathode/cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
einseitig /single-sided
RthCK
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
tvj max
tc op
tstg
180
-40...+180
-40...+180
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
Æ = 56 mm
Gehäuseform/case design T
F
24...60
600
kN
g
Gewicht
weight
G
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
30
mm
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50 Hz
C
Schwingfestigkeit
Maßbild
50 m/s2
Seite/page
1) Gehäusegrenzstrom 32 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 32 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)
D 2650 N
1,0
0,8
12
10
ó
õ
i²dt
i
[kA]
F
(normiert)
8
6
4
2
0
0,6
0,4
0,2
0
1
2
3
5
6
7
8
9
10
4
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
[V]
3,0
0
v
[
]
t ms
p
F
D2650N_1
D2650N_4
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
F
F
Limiting forward characteristic i = f (v )
ò
p
i²dt = f(t )
t
t
vj = 180 °C
vj = 25 °C
IF(0V)M
40
30
F(0V)M
I
40
v
R
vR
I
I
F(0V)M
F(0V)M
[kA]
[kA]
30
1a
1a
1b
1c
1b
2a
1c
20
20
10
2a
2b
2c
2b
2c
10
0
0,3
0,2
0,2
0,3
0,1
0
0,1
t [s]
t [s]
D2650N_5
D2650N_6
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
Bild / Fig. 4
F(0V)M
F(0V)M
= f(t)
= f(t)
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
FAV(vor)
vj
C
FAV(vor)
vj
C
1 - I
2 - I
a - v
= 0 A;
t
= t = 25 °C
t
1 - I
2 - I
a - v
= 0 A;
t
= t = 25 °C
t
FAV(vor)
C
vj
FAV(vor)
C
vj
t = 180 °C
= 2650 A;
= 100 °C; t = 180 °C
= 2650 A;
= 100 °C;
R
R
£
R
R
£
50 V
b - v = 0,5 V
50 V
RRM
RRM
RRM
RRM
b - v = 0,5 V
R
R
c - v = 0,8 V
c - v = 0,8 V
D 2650 N
2
0,006
3200
1600
[A]
i
FM
Q
T
800
4
D
R
thJC
10
9
8
7
6
5
400
200
Q
[°C/W]
0,004
r
[mAs]
100
Q
T
4
3
0,002
2
Q
3
T
10
0
30
10
-di /dt
m
100
0,1
1
90
150
120
180
60
[A/ s]
Q
[°el]
F
D2650N_3
D2650N_7
Bild / Fig. 5
Bild / Fig. 6
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
r
F
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q = f(-di /dt)
vj = vjmax
R
RRM
RM
RRM
£
t
t
; v
0,5 V
; V = 0,8 V
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
W
FM
Beschaltung / Snubber: C = 1,5 µF; R = 2,7
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
0,04
thJC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
für DC
thJC
for DC
2; 3
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
1
2
3
4
5
6
7
thn °C/W
R
0,0000370,0003930,00138 0,00177 0,00503 0,00739
0,0002040,00118 0,0103 0,0542 0,219 1,15
0,0000420,0005780,00184 0,00617 0,00487 0,0185
0,0001930,00166 0,0161 0,164 2,46 6,11
0,0000420,00578 0,00184 0,00617 0,00487 0,0185
0,0001930,00166 0,0161 0,164 2,46 6,11
0,03
1
2
3
n
t
[s]
Z
(th)JC
[°C/W]
Rthn °C/W
n
t
[s]
Rthn °C/W
n
t
[s]
0,02
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
1
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,01
Analytische Funktion / Analytical function
max
n
thJC
Z
thn
R
t n
(1-EXP(-t/ ))
=
S
n=1
0
10
-3
-2
0
1
2
-1
10
10
10
10
t [s]
10
D2650N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
thJC
Transient thermal impedance Z
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
相关型号：
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