D269N3600 [INFINEON]
Rectifier Diode,;
| 型号： | D269N3600 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, |
| 文件： | 总4页 (文件大小：69K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 269 N
ø36
Kathode
Cathode
Anode
ø36
+0,1
ø3,5 x 3,5 tief / depth
beidseitig / on both sides
7
.
x
a
m
4
D 269 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C... tvj max
VRRM
2800, 3200
3600
+ 100
550
V
V
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... tvj max
RMS forward current
VRSM = VRRM
IFRMSM
V
A
mean forward current
surge forward current
I2 t-value
tc = 100 °C
IFAVM
270
A
tc = 75 °C
350
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
IFSM
4,8
kA
4
kA
I2 t
115 kA2s
80 kA2s
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iF = 1,05 kA
tvj = tvj max
VT
max.
max.
2,6
0,86
1,54
20
V
V
threshold voltage
slope resistance
reverse current
VT(TO)
rT
tvj = tvj max
mW
mA
tvj = tvj max, VR = VRRM
iR
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Innerer Widerstand
beidseitig/two-sided, Q =180° sin RthJC
beidseitig/two sided, DC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,098 °C/W
0,090 °C/W
0,158 °C/W
0,150 °C/W
0,233 °C/W
0,225 °C/W
0,011 °C/W
0,022 °C/W
Anode/anode, Q =180° sin
Anode/anode, DC
Kathode/cathode, Q =180° sin
Kathode/cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
einseitig /single-sided
RthCK
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
tvj max
tc op
tstg
150
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
Æ = 23 mm
Gehäuseform/case design T
F
3,2...7,6
270
kN
g
Gewicht
weight
G
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
36
mm
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50 Hz
C
Schwingfestigkeit
Maßbild
50 m/s2
Seite/page
D 269 N
1,0
0,9
1400
1200
iF
[A]
ó
i²dt
õ
(normiert)
1000
800
0,8
0,7
0,6
0,5
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
v
[ms]
tp
[V]
F
D269N_1
D269N_4
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic iF = f (vF)
vj = 160 °C
tvj = 25 °C
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
òi²dt = f(tp)
t
6
6
IF(0V)M
IF(0V)M
v
R
vR
5
4
3
2
1
5
4
3
2
1
I
I
F(0V)M
F(0V)M
[kA]
[kA]
1a
1c
1b
1a
2a
2a
1b
1c
2b
2c
2b
2c
0,3
0
0,2
0,3
0
0,2
0,1
0,1
t
[s]
t [s]
D269N_5
D269N_6
Bild / Fig. 3
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 1030 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR £ 50 V
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 1030 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR £ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
D 269 N
4
10
9
8
7
6
5
Q
T
4
3
D
RthJC
Q
[mAs]
r
800
400
200
100
[A]
i
FM
[°C/W]
0,4
2
50
25
3
Q
0,3
0,2
0,1
0
10
9
8
7
6
5
4
3
T
2
T
2
10
10
-di /dt
100
0,1
1
30
60
90
120
150
[°el]
180
[A/ s]
m
Q
F
D269N_3
D269N_7
Bild / Fig. 5
Bild / Fig. 6
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
tvj = tvjmax; vR £ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 W
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
0,25
0,20
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
3
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn °C/W
0,00517
0,00301
0,0109
0,0174
0,01745
0,0252
0,000008 0,000922
00,015 00,0351 00,0338
0,0201 0,201 0,914
0,01227 0,0449 0,0195
Z
1
2
3
(th)JC
[°C/W]
0,000521
0,00551
0,00277
0,00593
0,00287
0,000032
0,00062
0,000357
0,00062
0,000358
t n [s]
Rthn °C/W
0,0563
12,9
t n [s]
0,065
0,046
0,269
0,321
0,155
12,9
4,7
0,15
2
Rthn °C/W
t n [s]
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
0,10
0,05
0
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
1
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Analytische Funktion / Analytical function
max
n
ZthJC =
Rthn(1-EXP(-t/t n))
S
n=1
-3
-2
-1
10
0
1
2
10
10
10
10
t [s]
10
D269N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
相关型号：
D27020U2JH6
Ceramic Singlelayer DC Disc Capacitors For General Purpose Class 1, Class 2 and Class 3, 50 VDC, 100 VDC, 500 VDC
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