D358S06T [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 600V V(RRM), Silicon,;


型号：	D358S06T
厂家：	Infineon
描述：	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 600V V(RRM), Silicon, 二极管
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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 358 S 06...10

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

600

800

1000

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

700

900

non-repetitive peak reverse voltage

1100

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

730

T_C=100°C

T_C=77°C

Dauergrenzstrom

358

465

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

6300

5200

12880

10630

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

198450 A²s

135200 A²s

82950 A²s

56500 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 1400 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,26

1,05

0,8

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

3,1

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=1400A

t_fr

3,8

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

10 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

100 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

1,8

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 09.02.87

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 358 S 06...10

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided, Q =180°sin

thermal resitance, junction to case

max.

0,079

0,075

0,124

0,12

°C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, I =180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Q =180°sin

0,204

0,2

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thCK

thermal resitance, case to heatsink

max.

0,015

0,030

°C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

150

°C

Betriebstemperatur

-40...+150

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Durchmesser/diameter 21mm

Anpreßkraft

3,2...7,6

clamping force

Gewicht

weight

typ.

Kriechstrecke

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

f = 50Hz

humidity classification

Schwingfestigkeit

5x9,81

m/s²

vibration resistance

Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,36S ; KL42

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 358 S 06...10

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 358 S 06...10

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical ementes of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Kühlung

cooling

Pos.n

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

0,0003

0,00675

0,00082

0,00585

0,00905

0,0322

0,0299

0,497

t [s]

0,000067

0,0597

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

0,00044

0,00806

0,00107

0,0171

0,0261

0,0295

0,121

0,0649

3,56

t [s]

0,000082

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

0,0005

0,0088

0,0215

0,0345

0,0312

0,223

0,138

3,513

t [s]

0,000086

0,00121

n _max

Analytische Funktion / analytical function : Z_thJC= = å R_thn( 1 - EXP ( - t / t_n))

n=1

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 358 S 06...10

2.000

1.750

1.500

1.250

1.000

750

500

250

0,5

1,5

2,5

v_F[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i_F=f(v_F)

T_vj= T _{vj max}

SZ-M / 09.02.87

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