D4709N28TVF [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Element, 5350A, 2800V V(RRM),;


型号：	D4709N28TVF
厂家：	Infineon
描述：	Rectifier Diode, 1 Element, 5350A, 2800V V(RRM), 二极管
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4709N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM2200

2400

2600 V

2800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

8400 A

T_C= 100 °C

T_C= 87 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

4700 A

5350 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

71000 A 1)

60000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

I²t

25205 10³A²s

18000 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 11,0 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4,0 kA

v_F

max.

1,65 V

1,12 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

0,83 V

0,68 V

Low-Level i_Tmax≤ 5000A

V_{(T0) 2}

mΩ

T_vj= T_{vj max}

Low-Level i_Tmax≤ 5000A

r_T

0,066

0,104

mΩ

T_vj= T_{vj max}

1,403E+00

2,111E-05

-1,405E-01

1,255E-02

Durchlaßkennlinie

2000 A ≤ i_F≤ 24000 A

on-state characteristic

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

200 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max. 0,0080 °C/W

max. 0,0073 °C/W

max. 0,0147 °C/W

max. 0,0136 °C/W

max. 0,0174 °C/W

max. 0,0160 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

0,0050

max.

°C/W

einseitig / single-sided

160

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

°C

-40...+150 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

1) Gehäusegrenzstrom I_RSM-case= 38kA (50Hz Sinushalbwelle) / Peak case non rupture current I_RSM-case= 38kA (50Hz sinusoidal half-wave)

H.Sandmann

date of publication: 2007-10-22

revision:

prepared by:

approved by: J.Przybilla

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BIP PPE4 / 2007-06-08 , H.Sandmann

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D4709N

Rectifier Diode

^{Mechanische Eigenschaften / Mechanica}M^{l pro}e^pec^rtih^esanische Eigenschaften

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 3

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case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

42...95 kN

Gewicht

weight

typ.

1200 g

Kriechstrecke

creepage distance

36 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

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BIP PPE4 / 2007-06-08 , H.Sandmann

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D4709N

Rectifier Diode

Maßbild

x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4709N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJCfor DC

Transienter Wärmewiderstand

Kühlung /

Cooling

Pos. n

R_thn[°C/W] 0,000030 0,000390 0,00120

0,000055 0,003920 0,01520

R_thn[°C/W] 0,000009 0,000371 0,00190

0,00262

0,20680

0,00306

1,09140

beidseitig

two-sided

τ_n[s]

0,00110

0,13500

0,00781

0,13500

0,00404

0,34700

0,00451

1,11000

0,00618

anodenseitig

anode-sided

0,000010 0,001820 0,00951

1,54000

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,000032 0,000728 0,00292

kathodenseitig

cathode-sided

0,000035 0,003410 0,02150

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

−

Z_thJC

R_thn1 e

Analytische Funktion / Analytical function:

n=1

0,018

0,016

0,014

0,012

0,010

0,008

0,006

0,004

0,002

0,000

t [s]

0,001

0,01

0,1

100

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z _thJC= f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4709N

Erhöhung des Z_{th DC}bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

Diagramme

∆Z_{th Θ rec}/ ∆Z_{th Θ sin}

Diagramme

Kühlung / Cooling

Θ = 180°

Θ = 120°

Θ = 90°

Θ = 60°

Θ = 30°

∆Z_{th Θ rec}

0,00082

0,00068

0,00166

0,00110

0,00166

0,00141

0,00128

0,00159

0,00198

0,00256

[°C/W]

beidseitig

two-sided

∆Z_{th Θ sin}

0,00091

0,00226

0,00152

0,00256

0,00187

0,00118

0,00286

0,00206

0,00317

0,00242

0,00153

0,00369

0,00287

0,00393

0,00316

0,00205

0,00490

0,00423

0,00499

0,00424

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ sin}

25.000

20.000

15.000

10.000

5.000

Durchlasskennlinie

T_vj= T_{vj max}

0,7

0,9

1,1

1,3

1,5

V_F[V]

1,7

1,9

2,1

2,3

2,5

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_F= f(v_F)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4709N

14000

Durchlassverluste

12000

10000

8000

6000

4000

2000

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

1000

2000

3000

4000

I_FAV[A]

5000

6000

7000

8000

9000

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_FAV= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Tc beidseitig

Parameter:

180

160

140

120

100

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

1000

2000

3000

4000

I _FAV[A]

5000

6000

7000

8000

9000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4709N

100000

Qr Diagramm

i_FM

2000A

1000A

500A

10000

1000

200A

100A

-di/dt [A/µs]

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Q_r=f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_F(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_F(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

_F(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D4709N

Rectifier Diode

Disclaimer

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung

der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine

solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien

jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

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spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

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diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of

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- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

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相关型号：

D470AK

D470AK/883

D470DJ

D470DN

D470G2032JH63J5R

D470G20P3KH63J5R

D470G20P3KH6TJ5

D470G20P3KH6TJ5R

D470G20P3KH6UJ5R

D470G20P3KL63J5R

D470G20P3KL6TJ5

D470G20P3KL6TJ5R