D5809N04T [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5800A, 400V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | D5809N04T |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5800A, 400V V(RRM), Silicon, 二极管 |
| 文件： | 总5页 (文件大小：95K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 5809 N
ø
48
Kathode
Cathode
Anode
48
ø
ø3,5+0.1 x 3,5 tief / depth
beidseitig / on both sides
4
VWK July 1996
D 5809 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzuälssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C... t vj max
VRRM
200, 400
600
+ 50
9,1
V
V
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max
RMS forward current
VRSM = VRRM
IFRMSM
V
kA
kA
kA
mean forward current
surge forward current
I2 t-value
tc = 58 °C
IFAVM
5,8
tc = 130 °C
3
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
IFSM
81 kA 1)
70
kA
A 2s
A 2s
I2 t
32'800.000
24'500.000
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iF = 18 kA
tvj = tvj max
VT
max.
max.
1,47
0,7
V
V
threshold voltage
slope resistance
reverse current
VT(TO)
rT
tvj = tvj max
0,04
100
mW
mA
tvj = tvj max, VR = VRRM
iR
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Innerer Widerstand
beidseitig/two-sided, Q =180° sin RthJC
beidseitig/two sided, DC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0166 °C/W
0,0160 °C/W
0,0326 °C/W
0,0320 °C/W
0,0326 °C/W
0,0320 °C/W
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
Anode/anode, Q =180° sin
Anode/anode, DC
Kathode/cathode, Q =180° sin
Kathode/cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
einseitig /single-sided
RthCK
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
tvj max
tc op
tstg
180
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
Æ = 54 mm
Gehäuseform/case design T
F
30...60
530
kN
g
Gewicht
weight
G
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
40
mm
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50 Hz
C
Schwingfestigkeit
Maßbild
50 m/s2
Seite/page
1) Gehäusegrenzstrom 32 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 32 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)
D 5809 N
1,0
0,8
25
20
[kA]
ó
i²dt
i
õ
F
(normiert)
(normiert)
0,6
0,4
15
10
5
0
0,2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0,5
1,0
1,5
[V]
2,0
v
tp[ms]
F
D 5809N_1
D5809N_4
Bild/Fig. 1
Bild / Fig. 2
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic iF = f (vF)
vj = 180 °C
vj = 25 °C
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
òi²dt = f(tp)
t
t
IF(0V)M
IF(0V)M
vR
vR
90
80
I
I
F(0V)M
F(0V)M
[kA]
70
60
50
40
30
[kA]
80
70
60
50
40
30
1a
1b
2a
1c
1a
2b
2b
2c
1b
1c
2b
20
10
2c
0
0,2
0,3
0,1
0
0,2
0,3
0,1
t
[s]
t [s]
D5809N_5
D5809N_6
Bild / Fig. 3
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 5800 A; tC = 58 °C; tvj = 180 °C
a - vR £ 50 V
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 5800 A; tC = 58 °C; tvj = 180 °C
a - vR £ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
D 5809 N
4
10
9
8
7
6400
3200
FM [A]
i
1600
800
400
200
6
5
Q
0,010
T
4
3
D
RthJC
Q
[mAs]
r
[°C/W]
2
3
10
Q
9
8
T
7
6
5
0,005
4
3
2
Q
T
2
10
0
30
100
1
0,1
10
60
90
120
150
[°el]
180
-di /dt
[A/ s]
Q
m
F
D5809N_3
D 5809N_7
Bild / Fig. 5
Bild / Fig. 6
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
tvj = tvjmax; vR £ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Beschaltung / Snubber: C = 3,3 µF; R = 1,5 W
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
0,04
0,03
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
1
2
3
4
5
6
7
2 3
;
Rthn °C/W
0,000045 0,000909 0,000852 0,001994 0,00473 0,00747
0,000048 0,000843 0,00542 0,0572 0,229 1,13
0,000049 0,001061 0,00118 0,00679 0,00442 0,0185
0,000049 0,000969 0,0107 0,169 2,79 6,11
0,000049 0,001061 0,00118 0,00679 0,00442 0,0185
0,000049 0,000969 0,0107 0,169 2,79 6,11
1
2
3
t n [s]
Z
(th)JC
[°C/W]
Rthn °C/W
t n [s]
Rthn °C/W
t n [s]
0,02
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
1
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,01
Analytische Funktion / Analytical function
max
n
ZthJC =
Rthn(1-EXP(-t/t n))
S
n=1
0
-3
-2
-1
0
1
2
10
10
10
10
t [s]
10
10
D 5809N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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