D650S14TQRHOSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode,;
| 型号： | D650S14TQRHOSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 二极管 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：145K) |
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Datenblatt / Data sheet
D650S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
V
V
1200
1400
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
A
1400
maximum RMS on-state current
A
Dauergrenzstrom
TC = 100°C
620
average on-state current
960 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
1510 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
IFSM
I²t
12200
10100
A²s
A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
744,2
510,05
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
V
max.
Tvj = Tvj max , iF = 2700 A
Tvj = Tvj max
vF
2,25
1,0
on-state voltage
V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
0,45
2,9 V
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
IEC 747-2
Tvj = Tvj max, iFM = 2700 A,
diF/dt = 50 A/µs
VFRM
5 µs
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / Method II
tfr
i
FM = diF/dt · tfr = 2700 A
Tvj = Tvj max, diF/dt = 50 A/µs
max.
Sperrstrom
reverse current
Tvj = +25°C
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
20 mA
200 mA
122 A
Rückstromspitze
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
IRM
peak reverse recovery current
iFM = 900A, -diF/dt = 50 A/µs
v
R ≈ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
370 µAs
5,3 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
FM = 900 A, -diF/dt = 50 A/µs
R ≈ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
Qr
trr
i
v
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
i
v
FM = 900 A, -diF/dt = 50 A/µs
R ≈ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
H.Sandmann
date of publication:
revision:
2009-03-16
1.0
prepared by:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
D650S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche /cooling surface
RthJC
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,048 °C/W
0,045 °C/W
0,085 °C/W
0,082 °C/W
0,103 °C/W
0,100 °C/W
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,005
0,010
max.
max.
°C/W
°C/W
150
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+150
-40...+150
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
6…14,5 kN
270
clamping force
Gewicht
G
typ.
g
weight
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
D650S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Datenblatt / Data sheet
D650S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
1
2
3
4
5
6
-
7
-
Cooling
Rthn [°C/W] 0,001080 0,00420
0,000378 0,00189
Rthn [°C/W] 0,001060 0,00407
0,00596
0,01850
0,0183
0,1470
0,01546
1,22000
beidseitig
two-sided
-
-
τn [s]
0,00519
0,01560
0,00616
0,01920
0,0167
0,1210
0,0186
0,1520
0,00698
0,57100
0,01340
2,54000
0,048
7,210
-
-
-
-
anodenseitig
anode-sided
0,000377 0,00182
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,001090 0,00423
0,05652
9,90000
kathodenseitig
cathode-sided
0,000379 0,00190
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
D650S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
vF [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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D650S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
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