D690S20TXPSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode,;
| 型号： | D690S20TXPSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 快速恢复二极管 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：168K) |
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Datenblatt / Data sheet
D690S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
V
V
2000
2200
2400
2600
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -25°C... Tvj max
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
A
1600
maximum RMS on-state current
A
Dauergrenzstrom
TC = 100 °C
690
average on-state current
870 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
1360 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
14000 A
11500 A
33400 A
27500 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = 25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
IFSM
980 103A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = 25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
I²t
661 103A²s
558 103A²s
378 103A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
V
max.
Tvj = Tvj max , iF = 3000A
Tvj = Tvj max
vF
2,7
V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
1,0
0,5
mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
A=
-1,575E-01
6,000E-04
2,421E-01
-1,582E-02
Durchlaßkennlinie
200 A ≤ iF ≤ 3000 A
B=
C=
D=
on-state characteristic
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
iF
typ.
16,5 V
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
DIN IEC 747-2
VFRM
tfr
Tvj = Tvj max, diF/dt = 50A/µs, vR = 0V
typ.
6,2 µs
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
DIN IEC 747-2, Methode / Method II
Tvj = Tvj max, iFM = 3000A
diF/dt = 50A/µs, vR = 0V
max.
max.
Sperrstrom
reverse current
Tvj = 25°C , vR = vRRM
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
25 mA
250 mA
155 A
970 µAs
9 µs
Rückstromspitze
DIN IEC 747-2, Tvj = Tvj max
IRM
peak reverse recovery current
iFM = 1020A, -diF/dt = 50A/µs
v
R ≤ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
DIN IEC 747-2, Tvj = Tvj max
FM = 1020A, -diF/dt = 50A/µs
R ≤ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
trr
i
v
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
DIN IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 1020A, -diF/dt = 50/µs
v
R ≤ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
H.Sandmann
date of publication:
revision:
2008-09-15
3.0
prepared by:
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IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
A 48/08
Datenblatt / Data sheet
D690S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche /cooling surface
RthJC
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,039 °C/W
0,036 °C/W
0,063 °C/W
0,060 °C/W
0,930 °C/W
0,900 °C/W
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,005
0,010
max.
max.
°C/W
°C/W
150
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+150
-40...+150
Lagertemperatur
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
10…24 kN
Gewicht
G
typ.
300 g
weight
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
D690S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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A 48/08
Datenblatt / Data sheet
D690S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
1
2
3
4
5
6
-
7
-
Cooling
Rthn [°C/W] 0,000044 0,00310 0,003256
0,000141 0,00238 0,023400
Rthn [°C/W] 0,000052 0,003458 0,00658
0,015
0,164
0,01439
1,14000
beidseitig
two-sided
-
-
τn [s]
0,0156
0,2610
0,0145
0,1700
0,03431
6,29000
0,0153
4,5600
-
-
-
-
-
anodenseitig
anode-sided
0,000161 0,002470 0,04330
-
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,000048 0,00340 0,004162
0,05259
8,86000
kathodenseitig
cathode-sided
0,000151 0,00243 0,031500
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
D690S
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00426
0,00738
0,00981
0,01328
0,01852
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00280
0,00447
0,00293
0,00447
0,00292
0,00428
0,00779
0,00451
0,00773
0,00448
0,00637
0,01038
0,00674
0,01036
0,00672
0,00978
0,01406
0,01035
0,01405
0,01033
0,01569
0,01958
0,01658
0,01960
0,01660
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Z
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
+ ∆Zth Θ rec
thDC
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
Tvj = Tvj max
0
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
VF [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
D690S
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