D850N32T [INFINEON]
D850N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度 26mm。;
| 型号： | D850N32T |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | D850N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度 26mm。 整流二极管 |
| 文件： | 总8页 (文件大小：230K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VRRM 2800
3200
3600 V
4000 V 1)
Tvj = -25°C... Tvj max
PeriodischeSpitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
1790 A
TC = 100 °C
850 A
1210 A
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
1900 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
I²t
15400 A
12800 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
1186 10³A²s
819 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 3,5 kA
Tvj = Tvj max , iF = 850 A
vF
max.
max.
2,62 V
1,28 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,84 V
mΩ
0,485
Ersatzwiderstand
slope resistance
A=
1,127E-01
5,455E-04
1,541E-01
-1,097E-02
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200 A ≤ iF ≤ 4000 A
B=
C=
D=
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
iF
max.
Sperrstrom
reverse current
T = T
, v = V
iR
50 mA
vj
vj max
R
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038 °C/W
0,035 °C/W
0,064 °C/W
0,061 °C/W
0,085 °C/W
0,082 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,005
0,010
beidseitig / two-sided
max.
max.
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
160
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
Tvj max
Tc op
°C
-40...+160 °C
-40...+160 °C
operating temperature
Tstg
Lagertemperatur
storage temperature
1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request
H.Sandmann
date of publication: 2008-09-15
prepared by:
revision:
3.0
approved by: M.Leifeld
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D850N
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Seite 3
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Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
10...24 kN
Gewicht
weight
G
typ.
285 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D850N
Rectifier Diode
1: Anode/
Anode
1
2
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling
Pos. n
Rthn [°C/W] 0,00123
0,00152
Rthn [°C/W] 0,00134
1
2
3
4
5
6
-
7
-
0,00397
0,00932
0,0041
0,0708
0,0153
0,2510
0,0104
1,7900
beidseitig
two-sided
-
-
τn [s]
0,00466
0,01130
0,00457
0,01110
0,0174
0,1770
0,0165
0,1690
0,0376
6,2500
0,0596
7,3100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
anodenseitig
anode-sided
0,00159
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,00133
kathodenseitig
cathode-sided
0,00159
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00380
0,00272
0,00378
0,00271
0,00378
0,00271
0,00617
0,00795
0,01053
0,01464
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00384
0,00614
0,00382
0,00611
0,00381
0,00534
0,00795
0,00533
0,00793
0,00532
0,00783
0,01055
0,00783
0,01052
0,00781
0,01249
0,01467
0,01253
0,01462
0,01250
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
4.500
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
Tvj = Tvj max
0
0,8
1,3
1,8
2,3
2,8
VF [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
3500
a
3000
2500
2000
1500
1000
500
b
c
d
e
f
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
0
0
200
400
600
800
1000
FAV [A]
1200
1400
1600
1800
2000
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
180
160
140
120
100
80
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
60
40
a
c
f
e
d
b
20
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
I FAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
iFM
=
10000
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
1000
100
-di/dt [A/µs]
0,1
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF
14
12
10
8
0-50V
6
0,33 VRRM
0,67 VRRM
4
2
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
F(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
D850N
Rectifier Diode
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
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