DD171N12 [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3;
DD171N12
型号: DD171N12
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD171N  
DD171N  
DD171N..K..-A  
DD171N..K..-K  
ND171N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
T = -40°C... T  
1200  
1600  
1400 V  
1800 V  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM  
vj  
vj max  
repetitive peak reverse voltages  
1300  
1700  
1500 V  
1900 V  
Stoßspitzensperrspannung  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VRSM  
non-repetitive peak reverse voltage  
270 A  
171 A  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
IFRMSM  
IFAVM  
IFSM  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 100°C  
6.600 A  
5.600 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
218.000 A²s  
157.000 A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
max.  
1,26 V  
0,75 V  
0,8 mΩ  
20 mA  
Tvj = Tvj max , iF = 500 A  
Tvj = Tvj max  
vF  
on-state voltage  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
rT  
max.  
Sperrstrom  
Tvj = Tvj max , vR = VRRM  
iR  
reverse current  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
VISOL  
3,0 kV  
2,5 kV  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin  
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin  
pro Modul / per Module, DC  
RthJC  
max.  
max.  
max.  
max.  
0,130 °C/W  
0,260 °C/W  
0,126 °C/W  
0,252 °C/W  
thermal resistance, junction to case  
pro Zweig / per arm, DC  
pro Modul / per Module  
pro Zweig / per arm  
max.  
max.  
0,03 °C/W  
0,06 °C/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
150  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
°C  
Betriebstemperatur  
- 40...+150 °C  
- 40...+150 °C  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
M.Stelte  
date of publication: 2011-03-01  
revision: 3.0  
prepared by:  
approved by: M.Leifeld  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD171N  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
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page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
AlN  
6
internal insulation  
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse  
mounting torque  
Toleranz ±15%  
M1  
M2  
G
Nm  
Nm  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
Toleranz ±10%  
6
Gewicht  
weight  
typ.  
310 g  
Kriechstrecke  
creepage distance  
15 mm  
50 m/s²  
Schwingfestigkeit  
f = 50 Hz  
file-No.  
vibration resistance  
E 83336  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD171N  
Rectifier Diode Module  
1
2
3
1
2
3
1
2
3
DD-K  
ND  
DD-A  
DD  
2
3
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD171N  
Rectifier Diode Module  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,0094  
0,0014  
0,0224  
0,0253  
0,0586  
0,267  
0,162  
1,68  
τn [s]  
nmax  
– t  
n  
ZthJC  
Rthn 1 - e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
n=1  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD171N  
R,Tau_Glieder des Kühlers  
Natürliche Kühlung / Natural cooling  
3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KM17 (60W)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,0505  
2,97  
0,1235  
21,4  
1,616  
1180  
τn [s]  
Verstärkte Kühlung / Forced cooling  
3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,026  
2,41  
0,119  
13,6  
0,515  
354  
τn [s]  
nmax  
n  
ZthCA  
Rthn 1 - e – t  
Analytische Funktion / Analytical function:  
n=1  
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N
Netz-Dioden-Modul  
DD171N  
Rectifier Diode Module  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechungsgrundlage PTAV  
Calculation base PTAV  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
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N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD171N  
R-Last  
L-Last  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
ID [A]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
450  
500  
ID [A]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
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N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD171N  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM  
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
a: Leerlauf / No-load conditions  
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM  
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)  
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (60W)  
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N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD171N  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (60W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)  
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