DD242S4K-K [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 261A, 400V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | DD242S4K-K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 261A, 400V V(RRM), Silicon, 局域网 二极管 |
| 文件： | 总4页 (文件大小：217K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
DD 242 S
28,5
35
6
115
80
9
18
18
M8
92
AK
K
A
VWK Febr. 1997
DD 242 S
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C...t
tvj = +25°C...t
VRRM DD 242 S:
Periodische Spitzensperrspannung
400 600 800 1000
V
vj max
vj max
VRSM = V RRM
IFRMSM
Stoßspitzenspannung
non-repetitive peak reverse voltage
RMS forward current
+ 50
410
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
tc = 100°C
tc = 94°C
£
IFAVM
average forward current
240
A
261
A
IFSM
tvj 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
9300
7500
432000
281000
A
A
A2s
A2s
ò 2
ò 2
I t
£
tvj 25°C, t p = 10 ms
I
t-value
tvj = tvj max, tp = 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
forward voltage
tvj = tvj max, iF = 800 A
vF
max. 1,55
1,1
V
V
V(TO)
rT
threshold voltage
W
slope resistance
0,5
m
tvj = tvj max, vR = VRRM
tvj = tvj max, iFM = 250 A,
-diF/dt = 100 A/µs
iR
reverse current
max. 200
mA
IRM
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
max. 98
A
tvj = tvj max, iFM = 250 A,
-diF/dt = 100 A/µs
Qr
Sperrverzugsladung
recovered charge
max. 120
3
µAs
kV
VISOL
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Q
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,075 °C/W
max. 0,15 °C/W
max. 0,072 °C/W
max. 0,144 °C/W
max. 0,02 °C/W
max. 0,04 °C/W
=180°el. sin: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
RthCK
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
tvj max
tc op
tstg
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
150
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Mechanical properties
Si-pellets with pressure contact
internal insulation
tightening torques
mounting torque
AIN
Anzugsdrehmomente
mechanische Befestigung
elektrische Anschlüsse
Gewicht
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
6
Nm
Nm
g
terminal connection torque
weight
12
typ. 800
17
Kriechstrecke
creepage distance
vibration resistance
outline
mm
m/s²
8
×
Schwingfestigkeit
f = 50 Hz
5
9,81
Maßbild
DD 242 S kann auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
DD 242 S can also be supplied with common anode or common cathode.
DD 242 S
250
200
RM
[A]
250
200
1000A
500A
i
=
FM
1000A
500A
i
=
FM
Q
I
s
[mAs]
200A
100A
200A
100A
50A
150
150
100
50
50A
100
50
0
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
DD 242 S2
DD 242 S3
-di /dt [A/µs]
-di /dt [A/µs]
F
F
Bild / Fig. 1
Typische Abhängigkeit der oberen Rückstromspitze von der
abkommutierenden Stromsteilheit -di /dt bei t
Bild / Fig. 2
Typische Abhängigkeit der oberen Sperrverzögerungsladung Q von der
s
.
abkommutierenden Stromsteilheit -di /dt bei t .
F
vj max
F
vj max
Typical realationship between the maximum peak reverse recovery
Typical realationship between the maximum recovered charge Q and the
s
current and the rate ofdecay of forward current -di /dt at t
F
rate of decay of forward current -di /dt at t
vj max
F
vj max
0.18
0.16
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
0.14
thJC
[°C/W]
Z
0,0031 0,0097 0,0257 0,0529 0,0526
0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06
R
thn
t
[s]
n
0.1
0.08
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
0.06
0.04
0.02
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
Q=60°
thJC
S
n=1
120°
180°
Q=180°
DC
0
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
T [s]
2 3 4 6
2
-3
10
-2
10
-1
10
0
1
10
10
10
DD 241 / 242 S1
Bild / Fig. 3
Transienter innerer Wärmewiderstand Z
förmigem Stromverlauf.
je Zweig bei sinus- und trapez-
(th)JC
Transient thermal impedance Z
, junction to case per arm at sinusoidal
(th)JC
and trapetzodial current waveform.
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