DD435N36 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 573A, 3600V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | DD435N36 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 573A, 3600V V(RRM), Silicon, |
| 文件： | 总4页 (文件大小：75K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
N
DD 435 N 28...40
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive reverse voltage
2800, 3200
3600, 4000
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
2900, 3300
3700, 4100
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
900
A
TC = 100°C
TC = 75°C
Dauergrenzstrom
average on-state current
435
573
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
14500
12000
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
1050000
720000
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iF = 1200A
vF
Durchlaßspannung
forward voltage
max.
1,71
0,84
0,60
50
V
Tvj = Tvj max
V(TO)
Schleusenspannung
threshold voltage
V
Tvj = Tvj max
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
mW
mA
Tvj = Tvj max
iR
Sperrstrom
max.
vD = VDRM, vR = VRRM
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per module, Q = 180°sin
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
max. 0,0390
max. 0,0780
max. 0,0373
max. 0,0745
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
pro Zweig / per arm, Q = 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Zweig / per arm, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
pro Zweig / per arm
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
0,010
0,020
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
150
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
- 40...+150
- 40...+150
Lagertemperatur
storage temperature
MOD-MA; R. Jörke
A 104/98
Seite/page 1(4)
17. Feb 98
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
N
DD 435 N 28...40
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
6 Nm
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz / tolerance ±15%
M1
M2
G
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
12 Nm
Gewicht
weight
typ. 1500 g
19 mm
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
MOD-MA; R. Jörke
Seite/page 2(4)
17. Feb 98
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
N
DD 435 N 28...40
MOD-MA; R. Jörke
Seite/page 3(4)
17. Feb 98
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
N
DD 435 N 28...40
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn °C / W
0,00194 0,00584 0,01465 0,02540 0,02670
s
t n
0,000732 0,00824 0,108
0,570
3,000
t
ö
-
nmax
æ
ç
t n
÷
Analytische Funktion:
ZthJC
=
R
1
-
e
å
n=1
thnç
÷
ø
è
MOD-MA; R. Jörke
Seite/page 4(4)
17. Feb 98
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明