DD600N12KHPSA2 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3;
| 型号： | DD600N12KHPSA2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3 局域网 二极管 |
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
Key Parameters
VDRM / VRRM
ITAVM
1800 V
600 A (TC=100 °C)
ITSM
22000 A
0,75 V
VT0
rT
0,215 mΩ
0,0745 K/W
60 mm
RthJC
Base plate
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichrichter für UPS
Rectifier for drives applications
Rectifiers for UBS
Batterieladegleichrichter
Battery chargers
1
2
3
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
5
7
8
2
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of Publication 2017-02-02
Revision 3.2
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
DD600N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
1200
1400
1600 V
1800 V
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
repetitive peak reverse voltages
1300
1500
1700 V
1900 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
950 A
600 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C
22000 A
19000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
2420000 A²s
1800000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
max.
1,32 V
0,75 V
Tvj = Tvj max , iF = 1800A
vF
max.
max.
max.
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
mΩ
0,215
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Sperrstrom
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
40 mA
3,6 kV
reverse current
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
VISOL
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
kV
3,0
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
max.
max.
0,039 K/W
0,078 K/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
max.
max.
0,0373 K/W
0,0745 K/W
0,01 K/W
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
0,02 K/W
thermal resistance, case to heatsink
150
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
°C
Betriebstemperatur
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
AG
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prepared by:
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3.2
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
AlN
6
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
M2
G
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
12 Nm
Gewicht
weight
typ.
1500
g
Kriechstrecke
19 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
file-No.
vibration resistance
E 83335
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
1
2
3
DD
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [K/W]
τn [s]
1
0,0267
3
2
3
4
5
6
7
0,0254
0,57
0,01465
0,108
0,00584
0,00824
0,00194
0,000732
nmax
– t
n
ZthJC
Rthn 1 - e
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
0,00605
0,00327
Θ = 120°
0,00766
0,00555
Θ = 90°
0,01306
0,00986
Θ = 60°
0,01824
0,01529
Θ = 30°
0,02897
0,02699
ΔZth Θ rec
[K/W]
ΔZth Θ sin
[K/W]
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
DC
180ꢀ rec
180ꢀ sin
120ꢀ rec
Θ = 60ꢀ rec
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
IFAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
160
140
120
100
80
60
180ꢀ sin
40
DC
120ꢀ rec
180ꢀ rec
Θ = 60ꢀ rec
20
0
100
200
300
400
500
IFAVM [A]
600
700
800
900
1000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
3000
0,005
ID
B2
R thCA [ꢀK/W]
+
0,010
R-Last
L-Last
0,015
0,020
~
2000
0,030
-
0,040
0,050
0,060
0,080
1000
0,100
0,140
0,180
0,250
0,500
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
200
400
600
800
ID [A]
1000
1200
1400
1600
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
4000
3000
2000
1000
0
ID
B6
0,020
0,015
R thCA [ꢀK/W]
+
3~
0,030
0,040
-
0,050
0,060
0,070
0,080
0,100
0,140
0,200
0,300
0,600
0
20
40
60
80
T A [°C]
100
120
140
0
500
1000
ID [A]
1500
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD600N
10000
iFM = 1600A
800A
400A
200A
100A
50A
1000
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
14.000
12.000
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
a
TA = 45 ꢀC
b
TA = 35 ꢀC
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
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