DDB6U180N16RR_B37 [INFINEON]

eupec™EconoBRIDGE™ - 采用EconoPACK™2外壳的1600V 二极管桥接模块，采用 IGBT4 制动斩波器、特殊固定和 PressFIT 压接技术，实现更紧凑的转换器设计。也适用于热界面材料。;


型号：	DDB6U180N16RR_B37
厂家：	Infineon
描述：	eupec™EconoBRIDGE™ - 采用EconoPACK™2外壳的1600V 二极管桥接模块，采用 IGBT4 制动斩波器、特殊固定和 PressFIT 压接技术，实现更紧凑的转换器设计。也适用于热界面材料。斩波器双极性晶体管二极管转换器
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DDB6U180N16RR_B37

EconoPACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EconoPACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

V_CES= 1600V

I_{C nom}= 180A / I_CRM= 360A

TypischeꢀAnwendungen

• Hilfsumrichter

TypicalꢀApplications

• Auxiliaryꢀinverters

• Airꢀconditioning

• Motorꢀdrives

• Klimaanlagen

• Motorantriebe

• Servoumrichter

• Servoꢀdrives

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance

Widerstand

• HoheꢀLeistungsdichte

• IsolierteꢀBodenplatte

• KompaktesꢀDesign

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• RoHSꢀkonform

• Highꢀpowerꢀdensity

• Isolatedꢀbaseꢀplate

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

• RoHSꢀcompliant

• Standardgehäuse

• Standardꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.0

www.infineon.com

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FRMSM

I_RMSM

I_FSM

ꢀ

1600

150

ꢀ

DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip

T_C= 100°C

MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip

GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom

T_C= 100°C

180

MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput

StoßstromꢀGrenzwert

Surgeꢀforwardꢀcurrent

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

1600

1400

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

13000

9800

A²s

I²t

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

Durchlassspannung

T_vj= 150°C, I_F= 150 A

Forwardꢀvoltage

min. typ. max.

1,20

V_F

V_TO

r_T

Schleusenspannung

T_vj= 150°C

0,83

2,30

1,00

Thresholdꢀvoltage

Ersatzwiderstand

T_vj= 150°C

mΩ

Slopeꢀresistance

Sperrstrom

T_vj= 150°C, V_R= 1600 V

Reverseꢀcurrent

I_R

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,330 K/W

K/W

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

0,137

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

1200

100

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 95°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

200

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,10

2,05

2,10

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,80 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,25 5,80 6,35

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,75

7,5

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

6,20

0,35

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,16

0,17

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,03

0,04

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,33

0,43

0,45

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,08

0,145

0,17

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

5,50

8,50

9,50

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

5,50

8,50

9,50

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

360

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,302 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,135

K/W

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

100

510

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

I²tꢀ-ꢀvalue

ꢀ A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 50 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,70 2,15

1,65

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 50 A, - di_F/dt = 2500 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

54,0

60,0

63,0

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 50 A, - di_F/dt = 2500 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

5,50

8,80

10,0

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 50 A, - di_F/dt = 2500 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

1,70

3,00

3,70

V_R= 600 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,713 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,157

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

10,0

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

7,5

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

> 200

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

R_AA'+CC'

1,30

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

-40

125

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

3,00

6,00 Nm

Gewicht

Weight

180

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀRectifierꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

200

Z_thJC: Diode

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

180

160

140

120

100

0,1

r_i[K/W]: 0,0219 0,0719 0,208 0,0282

τ_i[s]: 0,00072 0,01677 0,0596 1,17

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

V_CE[V]

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE)

T_vjꢀ=ꢀ150°C

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

200

V_GE= 19 V

V_GE= 17 V

V_GE= 15 V

V_GE= 13 V

V_GE= 11 V

V_GE= 9 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

180

160

140

120

100

180

160

140

120

100

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

V_GE[V]

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 150°C

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

I_C[A]

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

(RBSOA)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

240

Z_thJC: IGBT

I_C, Modul

I_C, Chip

200

160

120

0,1

r_i[K/W]: 0,0199 0,0633 0,193 0,0258

τ_i[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

200

400

600

800

1000 1200 1400

V_CE[V]

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

R_Gonꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

100

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

T_vj= 150°C

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

I_F[A]

V_F[V]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

I_Fꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

Z_thJC: Diode

0,1

r_i[K/W]: 0,0711 0,278 0,325 0,0389

τ_i[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17

0,01

0,001

0,01

0,1

R_G[Ω]

t [s]

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

R_typ

10000

1000

100

T_NTC[°C]

100 120 140 160

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

DDB6U180N16RR_B37

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Infineon

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-07-25

Trademarks

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ꢀ

Editionꢀ2017-07-25

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DDB6U180N16RR_B37 [INFINEON]

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