DDB6U215N18K [INFINEON]
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, 1800V V(RRM), Silicon, ISOPACK-14;
| 型号： | DDB6U215N18K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, 1800V V(RRM), Silicon, ISOPACK-14 |
| 文件： | 总8页 (文件大小：66K) |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 40°C...Tvj max
VRRM
VRSM
IFRMSM
Id
Periodische Spitzensperrspannung
1200, 1400
1600, 1800
V
V
repetitive peak reverse voltage
Tvj = + 25°C...T
Stoßspitzensperrspannung
1300, 1500
1700, 1900
V
V
vj max
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
125
A
TC = 110°C
Ausgangsstrom
215
93
A
A
A
A
A
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
output current
127
215
215
TA = 35°C, KM 14 (V = 45l/s)
L
TA = 35°C, KM 33 (V = 90l/s)
L
Tvj = 25°C, t = 10ms
IFSM
Stoßstrom-Grenzwert
2200
1950
A
A
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
surge forward current
Tvj = 25°C, t = 10ms
Grenzlastintegral
I²t
24200
19000
A²s
A²s
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iF = 300A
vF
Durchlaßspannung
forward voltage
max. 1,61
0,75
V
Tvj = Tvj max
V(TO)
Schleusenspannung
threshold voltage
V
Tvj = Tvj max
rT
Ersatzwiderstand
1,6
mΩ
mA
forward slope resistance
Tvj = Tvj max,vR = VRRM
iR
Sperrstrom
max.
10
reverse current
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,082
max. 0,490
max. 0,065
max. 0,390
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module
pro Element / per chip
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
Übergangs-Wärmewiderstand
max. 0,033
max. 0,200
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
150
- 40...+150
- 40...+150
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
A /99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Al2O3
6
Innere Isolation
internal insulation
Toleranz / tolerance ±15%
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
M1
M2
G
Nm
mounting torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
6
Nm
g
Gewicht
weight
300
12,5
50
typ.
Kriechstrecke
mm
m/s²
creepage distance
f = 50Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
MOD-E1; R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
[
]
Rthn °C / W
0,15200 0,21100 0,02960
0,31800 0,03870 0,00109
nmax
[ ]
τn s
t
−
τn
Analytische Funktion:
ZthJC
=
R
1−e
thn
∑
n=1
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
120° rect
DC
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z = f(t)
thJC
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
Id [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T= f(Id)
C
MOD-E1; R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
t [s]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom in 24h / Maximum allowable output current at 24h =I f(t)
d
T
C ≤ 100°C
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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